CN106783467B 一种使用砷化镓晶片制作三代像增强器的方法 （北京汉元一诺科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN106783467B公告日2018.06.05

(21)申请号201611225353.7

(22)申请日2016.12.27

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN106783467A

(43)申请公布日2017.05.31

(73)专利权人北京汉元一诺科技有限公司

地址100041北京市石景山区实兴大街30

号院16号楼9层905

(72)发明人王坤

(74)专利代理机构北京天江律师事务所11537代理人朱红来

(51)Int.CI.

H01J9/00(2006.01)

H01J9/12(2006.01)

H01J31/50(2006.01)

(56)对比文件

CN101055825A,2007.10.17,US6146229A,2000.11.14,

US5114373A,1992.05.19,US3889143A,1975.06.10,

审查员赵芳

权利要求书2页说明书4页附图2页

(54)发明名称

一种使用砷化镓晶片制作三代像增强器的方法

(57)摘要

CN106783467B本发明公开了一种使用砷化镓晶片制作三代像增强器的方法，首先将砷化镓晶片进行超声波清洗处理，然后镀铂导电层；将镀铂之后的砷化镓晶片再进行超声波清洗，与经过高温氧化处理的脉冲电源进行高频封接，形成封接件；再将依次经过清洗、镀荧光粉、高温定型的光纤倒像器与封接件进行激光焊接，进一步形成核心组件；核心组件与壳体封装后完成制作。本发明的生产环节为流程化控制，适合于批量生产，生产效率高；副反应的发生几率低，产品合格率高；使用的器件或设备均市场可购，不仅成本低，还有利于打破市场垄断；此外，本发明的使用寿命较长，可从一般像增强器的一万小时延长至三万小

CN106783467B

砷化级鼎用

砷化级鼎用脉冲电源允纤像器

湾洗

渡链高器氧化

镀蒙光粉

高封然

封接件

缴光擦

竞体

封装

成品

蓦源定型

CN106783467B权利要求书1/2页

2

1.一种使用砷化镓晶片制作三代像增强器的方法，其特征在于：所述方法的步骤如下：

一：将砷化镓晶片清洗处理，然后镀导电层，使电阻达到额定标准；

首先在洁净度大于100级、真空度大于10-5Pa的洁净室中对砷化镓晶片进行超声波清洗；根据污染物种类的不同，选择纯水或有机溶剂清洗液或无机酸性、碱性、中性清洗液作为清洗介质，并选择性加入金刚砂研磨剂用于强化清洗效果；

然后在砷化镓晶片的两个侧面上均镀上铂导电层；镀导电层的工艺步骤由净屏、镀铂、滴有机膜、修边、检测组成，上述工艺均按照常规方法进行操作；镀铂的厚度应小于等于120nm、镀铂后导电层的电阻应小于等于55Ω;

二、将镀铂之后的砷化镓晶片在洁净室中进行超声波清洗，然后与脉冲电源进行电路连接；

先将脉冲电源的金属零件进行表面高温氧化处理，然后通过脉冲点焊机，将脉冲电源的正负极与砷化镓晶片的一端进行高频封接，形成封接件；封接前，为了防止砷化镓晶片突然遇高温而炸裂，需先将其进行预热；封接后，进行退火处理以消除或减小封接件中的应力；

三、将光纤倒像器依次进行清洗、镀荧光粉、高温定型的处理，然后将处理好的光纤倒像器送入高真空的车间内进行电子清洗；

首先选取纤维中心距离小于等于5μm、数值孔径大于等于1.0的光纤倒像器，对符合要求的光纤倒像器进行超声波清洗；

选取粉层厚度与电子束穿透深度相当的荧光粉，配置荧光液；为了防止荧光液中的荧光粉组团，加入少量的Sr(NO3)2作为分散剂，并加入少量的K?0·mSiO?作为黏合剂以提高荧光粉与底液之间的粘结力；其中，荧光粉、Sr(NO3)2、K?0·mSiO?三者的质量比为1:0.05~0.2:0.05～0.2;

使用镀膜机将荧光液镀在光纤倒像器的一个侧面上；然后将光纤倒像器放置在真空度大于10-5Pa、温度为400℃的环境下烘烤12h以上，进行高温定型；

将定型后的光纤倒像器使用电子枪进行电子清洗，使光纤倒像器微孔中的吸附气体被彻底去除，以保证整个光纤倒像器的洁净度；最后对光纤倒像器进行精密度检测，舍弃质量不达标的产品；

四、将镀导电层的砷化镓晶片与镀荧光粉的光纤倒像器送入焊接车间，进行激光焊接，形成夜视仪的核心组件，即三代像增强器；

焊接车间