CN106653609A 一种新型鳍式场效应晶体管及其制作方法 （东莞市联洲知识产权运营管理有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN106653609A

(43)申请公布日2017.05.10

(21)申请号201611159376.2

(22)申请日2016.12.15

HO1L29/10(2006.01)

HO1L29/78(2006.01)

(71)申请人东莞市联洲知识产权运营管理有限公司

地址523000广东省东莞市松山湖高新技

术产业工发区生产力大厦406

(72)发明人李风浪

(74)专利代理机构北京众合诚成知识产权代理有限公司11246

代理人连平

(51)Int.CI.

HO1LHO1LH01LHO1L

21/336(2006.01)

21/308(2006.01)

21/266(2006.01)

29/06(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图2页

(54)发明名称

一种新型鳍式场效应晶体管及其制作方法

(57)摘要

CN106653606A本发明公开了一种新型鳍式场效应晶体管及其制作方法，本发明的新型鳍式场效应晶体管，包括：基底；位于所述基底上的鳍部，所述鳍部两端形成源区和漏区；横跨所述源区和漏区中间的鳍部上表面以及两侧的栅极结构，所述鳍部上表面呈凸齿结构，所述凸齿结构凸起部分为齿部，所述鳍部上表面两齿部之间存在迁移率增强区，所述源区以及漏区在齿部顶端无掺杂，所述

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CN106653609A权利要求书1/1页

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1.一种新型鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)提供基底，并在所述基底上形成一半导体凸出结构；

(2)制作并通过第一掩膜版刻蚀所述半导体凸出结构，形成上表面呈凸齿结构的鳍部，所述凸齿结构凸起部分为齿部；

(3)在未被第一掩膜版覆盖的鳍部表面沉积与鳍部晶格常数不同迁移率增强区；

(4)制作第二掩膜版，第二掩膜版覆盖鳍部中间，同时以第一掩膜版以及第二掩膜版为掩膜，向所述鳍部两端掺杂杂质，形成源区以及漏区，并去除第二掩膜版以及第一掩膜版；

(5)制作覆盖源区以及漏区的第三掩膜版，所述第三掩膜版两端开口边缘投影在未被掺杂的中间的鳍部上，通过第三掩膜版形成嵌入所述鳍部的凸齿结构内的栅极结构，并去除第三掩膜版。

2.根据权利要求1所述的新型鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于：所述基底为硅或者绝缘体上硅。

3.根据权利要求2所述的新型鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于：所述迁移率增强区为硅锗或碳化硅。

4.根据权利要求1所述的新型鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于：第(3)步采用外延生长法沉积迁移率增强区。

5.根据权利要求1所述的新型鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于：第(4)步掺杂杂质采用离子注入掺杂。

6.根据权利要求5所述的新型鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于：第(4)步离子注入掺杂时，注入方向不与第一掩膜版垂直。

7.根据权利要求6所述的新型鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于：第(4)步离子注入掺杂时，先偏向源区或漏区方向成一定角度注入，再偏向相反的方向成一定角度注入。

8.根据权利要求1所述的新型鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于：第(5)步所述第三掩膜版两端开口边缘在未被掺杂的中间的鳍部上的齿部上。

9.根据权利要求8所述的新型鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于：第(5)步所述第三掩膜版两端开口边缘在未被掺杂的中间的鳍部上的齿部中央上。

10.一种新型鳍式场效应晶体管，包括：基底；位于所述基底上的鳍部，所述鳍部两端形成源区和漏区；横跨所述源区和漏区中间的鳍部上表面以及两侧的栅极结构，其特征在于：所述鳍部上表面呈凸齿结构，所述凸齿结构凸起部分为齿部，所述鳍部上表面两齿部之间存在迁移率增强区，所述源区以及漏区在齿部顶端无掺杂，所述栅极结构嵌入所述鳍部的凸齿结构内。

CN106653609A说明书1/3页

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一种新型鳍式场效应晶体管及其制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种鳍式场效应晶体管及其制作方法。

技术背景

[0002]晶体管是集成电路中关键的元件。为了满足晶体管更快速的需求，需要较高的驱动电流。另外，由于晶体管的驱动电流正比于晶体管的栅极宽度，为了提高驱动电流，需要较大的栅