CN106449876A 选择性发射极双面perc晶体硅太阳能电池的制作方法 （无锡尚德太阳能电力有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN106449876A

(43)申请公布日2017.02.22

(21)申请号201610902698.5

(22)申请日2016.10.17

(71)申请人无锡尚德太阳能电力有限公司

地址214028江苏省无锡市新吴区新华路9

号

(72)发明人陈丽萍周杰严婷婷汪涛陆红艳陈如龙

(74)专利代理机构无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104

代理人曹祖良刘海

(51)Int.CI.

HO1L31/18(2006.01)

HO1L31/0224(2006.01)

权利要求书2页说明书4页附图1页

(54)发明名称

选择性发射极双面PERC晶体硅太阳能电池的制作方法

(57)摘要

CN106449876A本发明涉及一种选择性发射极双面PERC晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征是，包括以下步骤：(1)硅片去损伤层并制绒、清洗；(2)扩散形成pn结，去除扩散后硅片正面磷硅玻璃和背面pn结；(3)在硅片的背面沉积氧化铝/氮化硅叠层钝化薄膜，在硅片的正面沉积氮化硅减反射薄膜；(4)使用激光器在硅片背表面打线，得到打线槽；(5)正面涂布磷源；(6)正面激光掺杂，得到激光掺杂的主栅线和副栅线；(7)光诱导电镀镍/铜/银电极：将电池背面与外置电源的阴极连接，在电池正面和背面同时电镀，依次电镀镍/铜/银三种金属；(8)将电镀后的电池进行退火。本发明解决了丝网印刷双面

CN106449876A

CN106449876A权利要求书1/2页

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1.一种选择性发射极双面PERC晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征是，包括以下步骤：

(1)硅片去损伤层并制绒、清洗：将硅片去损伤层后在加热至80～85℃的碱液和添加剂体系中制绒，在硅片的正面形成绒面；然后在酸性溶液中化学清洗，去除表面杂质；

(2)扩散形成pn结：对硅片进行高温磷扩散形成pn结，扩散温度为850～880℃,扩散时间为1.5～2小时，扩散后表面方块电阻为90～120Ω/□;

(3)刻蚀：去除扩散后硅片正面磷硅玻璃和背面pn结，同时实现背面化学抛光；

(4)镀膜：在硅片的背面沉积氧化铝/氮化硅叠层钝化薄膜，在硅片的正面沉积氮化硅减反射薄膜；

(5)背面激光开窗：使用激光器在硅片背表面打线，使背面的氧化铝/氮化硅叠层钝化薄膜从硅片背面剥离，得到打线槽；

(6)正面涂布磷源：在硅片正面喷涂或者甩涂浓度为3～8%的磷酸溶液，作为激光掺杂的磷源；

(7)正面激光掺杂：使用激光对硅片正面进行加热，使硅片加热至熔融状态，在激光对硅片表面加热开槽的同时，磷酸内的磷原子融入熔融状态的硅中；当激光的光斑从熔融的区域移开后，此区域开始冷却并再结晶，融入的磷原子与硅形成合金，形成相应的N++层，得到激光掺杂的主栅线和副栅线；

(8)光诱导电镀镍/铜/银电极：将电池背面与外置电源的阴极连接，在电池正面和背面同时电镀，依次电镀镍/铜/银三种金属，电镀完成后正面栅线宽度30～35μm,高度13～15μm,背面栅线宽度50～65μm,高度25～32μm;

(9)退火：将电镀后的电池在氮气氛围中退火，退火温度350～450℃,退火时间1～3分钟。

2.如权利要求1所述的选择性发射极双面PERC晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征是：所述硅片为p型硅片。

3.如权利要求2所述的选择性发射极双面PERC晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征是：所述p型硅片的电阻率为1～3Ω·cm。

4.如权利要求1所述的选择性发射极双面PERC晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征是：所述步骤(1)中，碱液采用氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液，浓度为2.5%～4%,添加剂为醇类有机物，添加剂浓度为1%～2%。

5.如权利要求1所述的选择性发射极双面PERC晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征是：所述步骤(1)中，硅片的单片制绒减薄量为0.45～0.65g,制绒后硅基底表面反射率为10~12%。

6.如权利要求1所述的选择性发射极双面PERC晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征是：所述步骤(1)中绒面由若干金字塔形状的凸起组成，金字塔形状凸起的底部宽度为1～3

μm。

7.如权利要求1所述的选择性发射极双面PERC晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征是：所述硅片背面氧化铝