CN106558586A 存储器元件及其制作方法 （旺宏电子股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN106558586A

(43)申请公布日2017.04.05

(21)申请号201510834869.0

(22)申请日2015.11.26

(30)优先权数据

14/861,3772015.09.22US

(71)申请人旺宏电子股份有限公司

地址中国台湾新竹科学工业园区力行路16

号

(72)发明人叶腾豪胡志玮江昱维

(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任

公司11021代理人曹玲柱

(51)Int.CI.

HO1L27/115(2017.01)

权利要求书2页说明书20页附图29页

(54)发明名称

存储器元件及其制作方法

(57)摘要

CN106558586A本发明提供了一种存储器元件及其制作方法。其中，一种立体NAND闪存，包括偶数和奇数导电条带堆叠结构。导电条带堆叠结构中的一些导电条带件构来作为字线。多个数据存储结构位于偶数和奇数导电条带堆叠结构的侧壁上。多个主动柱状体包括多个偶数和奇数半导体薄膜，位于数据存储结构上，且在底部端彼此连接，藉以使这些半导体薄膜具有U形电流通道。一个偶数焊垫连接位于偶数导电条带堆叠结构上的偶数半导体薄膜；一个奇数焊垫连接位于奇数导电条带堆叠结构上的奇数半导体薄膜。一条参考线片段

CN106558586A

CN106558586A权利要求书1/2页

2

1.一种存储器元件，其特征在于，包括：

一第一导电条带堆叠结构，具有多个侧壁；

一第二导电条带堆叠结构，具有多个侧壁；

多个数据存储结构位于该第一导电条带堆叠结构和该第二导电条带堆叠结构的该些侧壁上；

多个第一垂直通道膜，位于该些数据存储结构上，且位于该第一导电条带堆叠结构和该第二导电条带堆叠结构的该些侧壁上，其中每一该些第一垂直通道膜包括一第一焊垫位于该第一导电条带堆叠结构上，且位于该第一垂直通道膜的一顶端；

多个第二垂直通道膜，位于该些数据存储结构上，且位于该第一导电条带堆叠结构和该第二导电条带堆叠结构的该些侧壁上，其中每一该些第二垂直通道膜包括一第二焊垫位于该第二导电条带堆叠结构上，且位于该第二垂直通道膜的一顶端；其中该些第一垂直通道膜和该些第二垂直通道膜彼此连接于多个底端；

一第一图案化导电平面层(firstlevelofpatternedconductors),位于该第一导电条带堆叠结构和该第二导电条带堆叠结构上方，包括一参考线片段以及一跨平面层连接器(inter-levelconnector),该参考线片段与该第一焊垫连接，该跨平面层连接器与该第二焊垫连接；以及

一第二图案化导电平面层，位于该第一图案化导电平面层上，包括一位线片段，该位线片段包括一延伸部与该跨平面层连接器接触。

2.根据权利要求1所述的存储器元件，其中该跨平面层连接器由一插塞所构成，该插塞由导电材料所构成，位于穿过一层间介电层的一介层窗中，并且连接至该第二焊垫；该参考线片段由填充于穿过该层间介电层的一沟道中的一导电材料所构成，并连接至该第一焊垫。

3.根据权利要求1所述的存储器元件，其特征在于，还包括一多层绝缘结构位于该第一图案化导电平面层，该多层绝缘结构包括一第一绝缘膜、一第二绝缘膜和一第三绝缘膜；该延伸部包括一鳍片位于该第一绝缘膜和该第二绝缘膜之间。

4.根据权利要求1所述的存储器元件，其中该参考线片段直接与该第一焊垫接触。

5.一种存储器元件，其特征在于，包括：

一第一导电条带堆叠结构，具有多个侧壁；

一第二导电条带堆叠结构，具有多个侧壁；

多个数据存储结构位于该第一导电条带堆叠结构和该第二导电条带堆叠结构的该些侧壁上；

多个U形膜，具有多个外表面直接与该些数据存储结构接触，且位于该第一导电条带堆叠结构和该第二导电条带堆叠结构的该些侧壁上；

多个第一焊垫连接位于该第一导电条带堆叠结构上的一部分该些U形膜的多个端点；多个第二焊垫连接位于该第二导电条带堆叠结构上的其他该些U形膜的多个端点；

一第一图案化导电平面层，位于该第一导电条带堆叠结构和该第二导电条带堆叠结构上方，包括一参考线片段以及多个跨平面层连接器，该参考线片段与该些第一焊垫连接，该跨平面层连接器与该些第二焊垫连接；以及

一第二图案化导电平面层，位于该第一图案化导电平面层上，包括一