CN106468604A 高温压力传感器及其制作方法 （苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN106468604A

(43)申请公布日2017.03.01

(21)申请号201610863805.8

(22)申请日2016.09.29

(71)申请人苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司

地址215000江苏省苏州市工业园区金鸡

湖大道99号苏州纳米城西北区20幢

511室

(72)发明人王敏锐孙福河

(74)专利代理机构南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256

代理人王锋

(51)Int.CI.

GO1L1/18(2006.01)

GO1L1/14(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图3页

(54)发明名称

高温压力传感器及其制作方法

(57)摘要

CN106468604A本发明涉及一种高温压力传感器及其制作方法，属于微机械制造领域，该高温压力传感器，包括硅衬底、设置在硅衬底上的敏感元件，还包括设置在硅衬底上的由耐高温不导电材料所制成的中间基片及设置在中间基片上的上层硅片，硅衬底、中间基片和上层硅片依次键合，硅衬底与中间基片之间形成有收纳敏感元件的腔体，该高温压力传感器由于将硅衬底、中间基片和上层硅片依次叠加以形成“硅衬底-中间基片-硅片”的三明治结构，使得应力失配相互抵消，以达到应力平衡；而该高温压力传感器的制作方法所制成的高温压力传感器由于形成了“硅衬底-中间

CN106468604A

CN106468604A权利要求书1/2页

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1.一种高温压力传感器，包括硅衬底、设置在所述硅衬底上的敏感元件，其特征在于，还包括设置在所述硅衬底上的由耐高温不导电材料所制成的中间基片及设置在所述中间基片上的上层硅片，所述硅衬底、中间基片和上层硅片依次键合，所述硅衬底与中间基片之间形成有收纳所述敏感元件的腔体。

2.如权利要求1所述的高温压力传感器，其特征在于，所述硅衬底的厚度与上层硅片的厚度相同；或者，所述硅衬底与上层硅片的厚度偏差范围在±10um。

3.如权利要求1或2所述的高温压力传感器，其特征在于，所述高温压力传感器上形成有至少两个通孔，每个所述通孔顺次贯穿中间基片和上层硅片，每个所述通孔内形成有导电柱，所述导电柱的一端与敏感元件电性连接，另一端暴露在所述上层硅片上。

4.如权利要求3所述的高温压力传感器，其特征在于，每个所述通孔包括贯穿所述中间基片的第一子通孔和贯穿所述上层硅片的第二子通孔；所述第一子通孔和第二子通孔的形状相同，或者所述第一子通孔和第二子通孔的形状不相同。

5.如权利要求1所述的高温压力传感器，其特征在于，所述中间基片上设有开口朝向所述硅衬底的凹槽，所述腔体由所述硅衬底封闭所述中间基片上的所述凹槽形成；或者，所述硅衬底上设有开口朝向所述中间基片的凹槽，所述腔体由所述中间基片封闭所述硅衬底上的所述凹槽形成；或者，所述中间基片上设有开口朝向所述硅衬底的上凹槽，所述硅衬底上开设有开口朝向所述中间基片的下凹槽，所述下凹槽和上凹槽对称设置，所述腔体由所述下凹槽和上凹槽围设形成。

6.如权利要求1所述的高温压力传感器，其特征在于，所述敏感元件为压敏电阻或基于电容式的敏感膜片。

7.如权利要求1所述的高温压力传感器，其特征在于，所述中间基片为玻璃片。

8.一种高温压力传感器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1:提供硅衬底，所述硅衬底从下至上依次设置有体硅层、绝缘层和体硅薄膜，所述硅衬底具有相背设置的上表面和下表面；

S2:在所述硅衬底的上表面上形成敏感元件和与所述敏感元件电性连接的金属电极；

S3:提供一由耐高温不导电材料所制成的中间基片，所述中间基片具有相背设置的正面和背面，在所述中间基片的背面上形成凹槽；所述中间基片的背面与所述硅衬底的上表面键合，密封凹槽以形成密封敏感元件的腔体；

S4:提供硅片，所述硅片包括相背设置的顶面和底面；将所述硅片的底面与中间基片的正面键合；

S5:引出金属电极。

9.一种高温压力传感器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1:提供硅衬底，所述硅衬底从下至上依次设置有体硅层、绝缘层和体硅薄膜，所述硅衬底具有相背设置的上表面和下表面，所述硅衬底的上表面上形成有下凹槽；

S2:在所述硅衬底的上表面上形成敏感元件和与所述敏感元件电性连接的金属电极，所述敏感元