CN106197668A 一种窄带红外探测芯片及其制作方法 （华中科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN106197668A

(43)申请公布日2016.12.07

(21)申请号201610580080.1

(22)申请日2016.07.22

(71)申请人华中科技大学

地址430074湖北省武汉市洪山区珞喻路

1037号

(72)发明人周仑李君宇谈小超杨奥

(74)专利代理机构华中科技大学专利中心

42201

代理人张建伟

(51)Int.CI.

G01J3/28(2006.01)

G01J3/42(2006.01)

B82Y40/00(2011.01)

权利要求书1页说明书4页附图2页

(54)发明名称

一种窄带红外探测芯片及其制作方法

(57)摘要

CN106197668A本发明涉及一种窄带红外探测芯片及其制作方法，包括以下步骤：选取单晶硅片，蒸镀一定厚度的金；通过PECVD设备进行表面沉积一定厚度的SiO2;旋涂PMMA曝光胶；设计十字交叉结构的纳米棒阵列，精确控制纳米棒阵列的尺寸参数，通过电子束曝光设备将所设计的结构转移至PMMA曝光胶；进行曝光处理，并通过电子束蒸镀设备进行金蒸镀；进行化学溶液浸泡，去掉PMMA曝光胶，此时硅片上会呈现十字形纳米棒的阵列结构。本发明通过引入光学纳米结构的参数优化

CN106197668A

CN106197668A权利要求书1/1页

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1.一种窄带红外探测芯片，包括单晶硅片(1)、金背板(2)、SiO?介电层(3);所述金背板(2)设在单晶硅片(1)上，用作反射层；金背板(2)上生长有SiO?作为介电层；其特征在于：

所述介电层上，制作有若干个结构和尺寸相同的十字形曝光区，各十字形曝光区在介电层平面水平和垂直两个方向均匀、平行分布；其中：

所述十字形曝光区由4个长宽均相等的矩形曝光块，以矩形短边为邻接边组成；十字形曝光区的水平和垂直两个方向上，矩形曝光块之间间距相等，两两平行对正。

2.根据权利要求书1所述的窄带红外探测芯片，其特征在于，通过所述十字形曝光区的各个矩形曝光块的长度、宽度、厚度或间距参数的调整，能实现不同波段和不同带宽的窄带探测；矩形越宽，芯片响应光谱的半高宽FWHM越大，谐振峰红移；矩形长度越大，响应光谱的半高宽FWHM和吸收率变大，谐振峰红移；矩形厚度越大，响应光谱的半高宽FWHM基本不变，吸收率增大；矩形间距越大，响应光谱的半高宽FWHM减小，谐振峰蓝移。

3.根据权利要求1或2所述窄带红外探测芯片，其特征在于，所述矩形宽度取值范围为40nm-160nm,矩形长度取值范围为1000nm-1500nm,矩形厚度取值为80nm-300nm;矩形间距取值为110nm-300nm。

4.根据权利要求1或2所述窄带红外探测芯片制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)选取单晶硅片，通过电子束蒸镀设备阵蒸镀不小于100nm厚的金；

(2)通过PECVD设备在所蒸镀的金表面沉积295-305nm厚的SiO?,形成介电层；

(3)在所述介电层上旋涂PMMA曝光胶；

(4)在曝光胶上，形成四个相同大小和结构的矩形曝光块构成的十字形曝光区，通过电子束曝光设备将所设计的曝光区曝光；所述矩形尺寸为纳米级，呈现对称十字形，其大小和间距根据工作频率和带宽决定；

(5)通过电子束蒸镀设备对所述曝光后的十字形区域镀金；

(6)去掉PMMA曝光胶，得到所述窄带红外探测芯片。

5.根据权利要求3所述的窄带红外探测芯片制作方法，其特征在于，所述十字形曝光区在芯片上呈现二维周期性排列，以应用于不同波段的探测；十字形曝光区尺寸越大，周期就越大，谐振峰随着周期增大而红移；十字形曝光区尺寸越小，周期就越小，谐振峰随着周期减小而蓝移。

6.根据权利要求1或2所述的窄带红外探测芯片制作方法，其特征在于，所述单晶硅片双面抛光，对波长大于2微米的波段透明，电阻率为1-5Ω·cm。

7.根据权利要求1或2所述的窄带红外探测芯片制作方法，其特征在于，所述单晶硅片厚度为500um。

CN106197668A说明书1/4页

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一种窄带红外探测芯片及其制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及红外探测技术领域，特别是用于传感领域的