CN106277744A 一种高沉积速率pcvd工艺制作单模光纤芯棒的方法 （长飞光纤光缆股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN106277744A

(43)申请公布日2017.01.04

(21)申请号201610680316.9

(22)申请日2016.08.17

(71)申请人长飞光纤光缆股份有限公司

地址430073湖北省武汉市东湖新技术开

发区光谷大道9号

(72)发明人吴建鹏夏先辉吴伟

(74)专利代理机构湖北武汉永嘉专利代理有限公司42102

代理人胡建平

(51)Int.CI.

C03B37/018(2006.01)

权利要求书1页说明书6页

(54)发明名称

一种高沉积速率PCVD工艺制作单模光纤芯棒的方法

(57)摘要

CN106277744A本发明涉及一种高沉积速率PCVD工艺制造单模光纤芯棒的方法，其特征在于将纯石英衬管置于微波谐振腔保温炉内，纯石英衬管穿过筒形微波谐振腔周期性的旋转，同时微波谐振腔相对纯石英衬管作轴向往复移动；混合气体从衬管的一端进入管内，混合气体的种类和流量为：纯四氯化硅蒸气500~3000sccm,纯氧气2000sccm~8000sccm,四氯化锗蒸气10~200sccm,氟利昂0~50sccm;衬管的另一端是气体排出端，气体排出端连接真空泵，控制衬管内压力在10～30mBar;衬管内的沉积速率以纯硅计为2.0~5.5g/min,沉积完成后，在电热熔缩床上将沉积管熔缩成实心芯棒。本发明有效提高PCVD工艺沉积速率和生产

CN106277744A

CN106277744A权利要求书1/1页

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1.一种高沉积速率PCVD工艺制造单模光纤芯棒的方法，其特征在于

取外径为30～60毫米，内径25～50毫米，壁厚大于或等于4毫米，长度为1.0～2.5米的纯石英衬管，经过两端延长、清洗干燥后，进行PCVD加工；

将纯石英衬管置于微波谐振腔保温炉内，炉内温度：900℃~1300℃,纯石英衬管穿过筒形微波谐振腔周期性的旋转，同时微波谐振腔相对纯石英衬管作轴向往复移动；

混合气体从衬管的一端进入管内，混合气体的种类和流量为：纯四氯化硅蒸气500~3000sccm,纯氧气2000sccm~8000sccm,四氯化锗蒸气10~200sccm,氟利昂0~50sccm;衬管的另一端是气体排出端，气体排出端连接真空泵，控制衬管内压力在10～30mBar;

衬管内的沉积速率以纯硅计为2.0~5.5g/min,沉积完成后，在电热熔缩床上将沉积管熔缩成实心芯棒。

2.按权利要求1所述的高沉积速率PCVD工艺制造单模光纤芯棒的方法，其特征在于所述微波谐振腔高频系统输出功率最大可达20KW~22KW,在沉积包层时输出功率较大，沉积芯层时输出功率较小，在沉积接近芯层的包层时输出功率呈递减状。

3.按权利要求1或2所述的高沉积速率PCVD工艺制造单模光纤芯棒的方法，其特征在于沉积包层时控制衬管内压力在10～20mBar,沉积芯层时控制衬管内压力在20～30mBar,且沉积包层时衬管内压力与沉积芯层时衬管内压力的压差为8～12mBar,在沉积接近芯层的包层时管内压力呈递增状。

4.按权利要求1或2所述的高沉积速率PCVD工艺制造单模光纤芯棒的方法，其特征在于微波谐振腔相对纯石英衬管作轴向往复移动的速度为15~40m/min,微波谐振腔每移动至衬管一端衬管旋转80~150°,沉积芯棒时混合气体总流量为3000~10000sccm。

5.按权利要求1或2所述的高沉积速率PCVD工艺制造单模光纤芯棒的方法，其特征在于沉积效率控制在91~99%。

CN106277744A说明书1/6页

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一种高沉积速率PCVD工艺制作单模光纤芯棒的方法

技术领域

[0001]本发明涉及一种光纤芯棒的制造方法，具体涉及一种具有较高沉积速率和沉积效率的PCVD工艺制造单模光纤芯棒的方法。

背景技术

[0002]通信玻璃光纤制备过程包括芯棒制棒和拉丝两个工艺，而拉丝的光纤性能主要取决于芯棒制备，因此，芯棒的制造工艺被认为是光纤制造工艺的核心技术。目前，制造石英芯棒的方法根据实现方式