1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 高等教育
  5. 理学

半导体器件物理.pdf

半导体器件物理.pdf

    《半导体器件物理》

    实验指导书

    光电工程学院

    实验一高频光电导法测量硅中少子寿命

    一、实验目的

    非平衡少数载流子（少子）寿命是半导体材料与器件的一个重要参数。其测量方法主要有稳态法和瞬

    态法。高频光电导衰退法是瞬态测量方法，它可以通过直接观测少子的复合衰减过程，测得其寿命。本实

    验通过采用高频光电导衰退法测量高阻硅的少子寿命，加深学生对半导体非平衡载流子理论的理解，使

    学生学会用高频光电导测试仪和示波器测量半导体少子寿命。

    二、实验仪器

    LT-2型少

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >