CN106406061B 一种体全息元件制作方法 （苏州苏大维格科技集团股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN106406061B公告日2021.11.19

(21)申请号201611033273.1

(22)申请日2016.11.16

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN106406061A

(43)申请公布日2017.02.15

(73)专利权人苏州苏大维格科技集团股份有限公司

地址215000江苏省苏州市苏虹东路北钟

南街478号

专利权人苏州大学

(72)发明人浦东林陈林森朱鹏飞张瑾

(74)专利代理机构苏州谨和知识产权代理事务

所(特殊普通合伙)32295代理人唐静芳

(51)Int.CI.

GO3H1/02(2006.01)

GO2B5/32(2006.01)

GO2B5/18(2006.01)

(56)对比文件

EP1376164A1,2004.01.02

EP1376164A1,2004.01.02

US2002/0171883A1,2002.11.21CN104166336A,2014.11.26

CN105619788A,2016.06.01CN102971677A,2013.03.13

审查员赵晓娟

权利要求书1页说明书8页附图11页

(54)发明名称

一种体全息元件制作方法

(57)摘要

CN106406061B本发明公开了一种体全息元件，其包括至少一像素化的信息层和至少一基材层，信息层设置于基材层上，或者信息层设置于相邻的两基材层之间；从体全息元件的剖面看，其信息层具有阵列分布的像素化的条纹面，每个像素内部的条纹面具有周期性，并且与基片平面具有夹角，每个像素为反射布拉格体光栅。本发明还公开了一种像素化反射体全息元件的制作方法和制作系统。本发明通过干涉光束调控、在体全息记录材料的感光层上进行像素化拼接曝光，经后续化学或物理处理，构成复杂光学参数的像素化的反射体全

CN106406061B

CN106406061B权利要求书1/1页

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1.一种体全息元件制作方法，其特征在于，所述体全息元件包括至少一像素化的信息层和至少一基材层，所述信息层设置于所述基材层上；所述信息层内部的反射全息像素阵列的像素单元阵列分布，且具有不同参数，所述参数包括所述像素单元中干涉条纹面的周期和取向，所述方法包括：

通过两束细光束从体全息材料的两面分别入射形成干涉区域，记录体光栅像素，材料与干涉像素步进移动，通过二维拼接记录；所述体全息元件具有一定幅面，所述两束细光束不具有对称性，具备不同的入射角度参数；所述两束细光束中的一束光通过其中一个光束调控单元后，分成多束照射到体全息记录材料上，与另外一束光进行多光束干涉，形成多条纹面分布。

2.根据权利要求1所述的体全息元件制作方法，其特征在于，所述体全息元件的信息层剖面具有像素化的条纹面，所述条纹面具有周期性，并且条纹面与基材层所在的平面具有夹角。

3.根据权利要求2所述的体全息元件制作方法，其特征在于，所述条纹面与基材层所在的平面的夹角为0-85度之间。

4.根据权利要求2所述的体全息元件制作方法，其特征在于，每个所述条纹面的周期范围为130nm~5um。

5.根据权利要求1所述的体全息元件制作方法，其特征在于，所述基材层设置有两层，所述信息层设置于两所述基材层之间。

6.根据权利要求1所述的体全息元件制作方法，其特征在于，还包括基片，所述信息层和所述基材层设置于所述基片上。

7.根据权利要求6所述的体全息元件制作方法，其特征在于，所述体全息元件还包括保护层，所述保护层设置于基材层和信息层相对于基片的另一侧。

8.根据权利要求1所述的体全息元件制作方法，其特征在于，所述基材层为薄膜或玻璃。

9.根据权利要求1所述的体全息元件制作方法，其特征在于，所述信息层为光致聚合物、重铬酸明胶、卤化银材料或者光折变玻璃基片的任意一种全息感光材料。

10.根据权利要求9所述的体全息元件制作方法，其特征在于，所述信息层的厚度10um-150um,其体全息记录材料的可感光范围400nm-650nm。

11.根据权利要求1所述的体全息元件制作方法，其特征在于，入射的光束有两个角度参数，一是入射光束与材料表面法