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COMSOL在TSV技术中的应用

疑问

1、软件能够数值模拟TSV技术中通孔电镀，能够实现内部信号的引出，包括通孔深度

与电镀的关系，通孔填满金属等；

2、软件能够数值模拟薄膜沉积所产生的薄膜应力，并优化应力分布；

3、通过软件的模拟，能够实现在合金过程中，控制温度与时间，使金属与硅基形成良

好欧姆接触；

4、软件能够模拟腐蚀过程，比如不同晶向的硅片，腐蚀得到所需的三维结构；

5、通过软件数值模拟，能够计算不同的注入剂量与能量的方块电阻；

6、软件能够数值模拟异质键合中所需要的工艺条件，比如温度、热应力等，从而优化

温度场、热应力等工艺条件，提高产品的可靠性；

7、软件能够模拟刻蚀过程，优化不同结构线宽刻蚀的均匀性；

8、软件能够模拟器件的热辐射或热循环途径；

9、软件能够模拟圆片级封装的工艺设计与仿真，即直接键合与有过渡层材料的键合；

10、软件界面友好，同时具备中、英文等多语言操作界面，易于学习和使用；拥有在线

帮助和窗口拖拽功能，用户可根据个人使用习惯调整界面布局；有窗口延伸功能，便

于使用；

11、软件可在Windows、Linux及MacOSX系统平台下运行，支持并行计算；

12、软件以变分原理作为理论基础，通过偏微分方程进行模拟计算，可同时进行多个物理

场的直接耦合求解，而非每次计算一个物理场的间接耦合，保证求解的精确度；

TSV技术简介

•硅通孔技术(Through-SiliconVia)：通过在芯片之间、

晶圆之间制作垂直导通，实现芯片之间互联的技术。

•优点：使芯片在Z轴方向堆叠的密度最大；

芯片之间的互连线最短；

外形尺寸最小；

并具有缩小封装尺寸；

高频特性出色；

降低芯片功耗；

热膨胀可靠性高等。

硅通孔的制作流程

•TSV技术尚待解决的关键技术难题

‐通孔的刻蚀

‐通孔的填充

‐晶圆减薄

‐堆叠形式

‐键合方式

‐通孔热应力

通孔填充

•硅通孔填充材料：铜，多晶硅，钨。主要是铜。

•目前影响铜填充的主要问题包括：硅通孔内侧壁种子层的覆盖、硅通孔内

气泡的排除、电镀液质量以及电镀电流

密度等。

•主要的填充方法：电镀

电镀过程的模拟

COMSOL电镀过程的模拟

应力分析

0

工艺流程：1.在Si晶圆一侧刻蚀TSV(工艺温度小于250)，孔壁有扇贝状的形貌

o

2.化学气相沉积SiO绝缘层(工艺温度在275-350)

2

3.在绝缘层上物理气相沉积扩散阻挡层，再沉积铜种子层

o

(工艺温度在250-450)

o

4.电镀(工艺温度在150-250)

应力分析

•薄膜应力

•电镀完成之后的应力分析

两个主要来源：工艺残余应力以及热应力

工艺残余应力：Cu晶粒在生长过程中由于结构演化会产生应力，在电镀完成

之后即存在

热应力：不同材料的热膨胀系数不相同

热辐射和热循环的模拟