CN106206634A 一种图像传感器结构及其制作方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN106206634A

(43)申请公布日2016.12.07

(21)申请号201610601001.0

(22)申请日2016.07.27

(71)申请人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区上海浦东张

江高斯路497号

(72)发明人耿阳胡少坚陈寿面

(74)专利代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275

代理人吴世华陈慧弘

(51)Int.CI.

HO1L27/146(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图5页

(54)发明名称

一种图像传感器结构及其制作方法

(57)摘要

CN106206634A272624232222W1082120本发明公开了一种图像传感器结构及其制作方法，通过在CMOS图像传感器结构中金属间介质层上的像素阵列之间设置网格状介质薄膜，将

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CN106206634A权利要求书1/1页

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1.一种图像传感器结构，其特征在于，自下而上包括：

半导体衬底，其制作有晶体管和电容；

设于所述半导体衬底上的金属间介质层，其制作有通孔和金属互连线；

依次设于所述金属间介质层上的接触下电极、光敏薄膜，其按分割的水平阵列式叠设分布，并与相应的像素对应；

填充于所述接触下电极、光敏薄膜所形成的间隔中的介质薄膜；

设于所述光敏薄膜、介质薄膜上的透明导电上电极。

2.根据权利要求1所述的图像传感器结构，其特征在于，所述接触下电极、通孔金属的制作材料包括：高功函数的金、钨、铜、氧化铟锡、氟化氧化锡或氮化钛，或者低功函数的铝、镁或氮化钽，或者为了调节特定功函数而包含全部或部分上述元素的化合物；所述透明导电上电极的制作材料包括氧化铟锡、氟化氧化锡或掺铝氧化锌。

3.根据权利要求1所述的图像传感器结构，其特征在于，所述介质薄膜材料包括：二氧化硅、氧化铝、氮化硅、氧化锆或氧化铪。

4.根据权利要求1所述的图像传感器结构，其特征在于，所述光敏薄膜为有机薄膜或量子点薄膜。

5.根据权利要求1所述的图像传感器结构，其特征在于，在所述透明导电上电极上还设有钝化层、滤光片以及微透镜。

6.一种如权利要求1所述的图像传感器结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S01:提供一半导体衬底，在所述半导体衬底中制作晶体管和电容；

步骤S02:在所述半导体衬底上形成金属间介质层，并在所述金属间介质层中制作通孔和金属互连线；

步骤S03:在所述金属间介质层上形成牺牲层，并在像素之间形成网格状的牺牲层图案；

步骤S04:依次沉积接触下电极、光敏薄膜，并平坦化；

步骤S05:去除牺牲层材料，形成分割的接触下电极和光敏薄膜图案；

步骤S06:沉积介质薄膜，将接触下电极和光敏薄膜图案之间的沟槽填满，并平坦化；

步骤S07:在光敏薄膜上形成透明导电上电极。

7.根据权利要求6所述的图像传感器结构的制作方法，其特征在于，所述接触下电极、通孔金属的制作材料包括：高功函数的金、钨、铜、氧化铟锡、氟化氧化锡或氮化钛，或者低功函数的铝、镁或氮化钽，或者为了调节特定功函数而包含全部或部分上述元素的化合物；所述透明导电上电极的制作材料包括氧化铟锡、氟化氧化锡或掺铝氧化锌；所述接触下电极、透明导电上电极的厚度分别为50-500nm。

8.根据权利要求6所述的图像传感器结构的制作方法，其特征在于，所述介质薄膜材料包括：二氧化硅、氧化铝、氮化硅、氧化锆或氧化铪，厚度为100nm-2μm。

9.根据权利要求6所述的图像传感器结构的制作方法，其特征在于，所述光敏薄膜为采用CdS、CdSe、PdS、CuInS或InP材料制作的量子点薄膜，其量子点尺寸为2-10nm,薄膜中量子点之间的距离小于0.5nm。

10.根据权利要求6所述的图像传感器结构的制作方法，其特征在于，还包括步骤S08:在透明导电上电极上形成钝化层、滤光片以及微透镜。

CN106206634A说明书