CN106415868B 存储器单元、半导体结构、半导体装置及制作方法 （美光科技公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权公

(10)授权公告号CN106415868B告日2019.05.28

(21)申请号201580027404.2

(22)申请日2015.04.02

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN106415868A

(43)申请公布日2017.02.15

(30)优先权数据

14/249,1832014.04.09US

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2016.11.21

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/US2015/0240312015.04.02

(87)PCT国际申请的公布数据

W02015/157080EN2015.10.15

(73)专利权人美光科技公司地址美国爱达荷州

(72)发明人古尔特杰·S·桑胡

苏密特·C·潘迪

(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司11287

代理人路勇

(51)Int.CI.

HO1L43/10(2006.01)

HO1L43/02(2006.01)

HO1L43/12(2006.01)

(56)对比文件

US2014015076A1,2014.01.16,说明书第

[0012]、[0045]、[0070]-[0081];附图1,17.

US2012012952A1,2012.01.19,说明书第

[0029]、[0034]段；附图3.

US2007201265A1,2007.08.30,全文.

US8564080B2,2013.10.22,全文.

US2009108383A1,2009.04.30,全文.

审查员谈浩琪

权利要求书2页说明书24页附图15页

(54)发明名称

100104150-1AB

100

104

150

-1AB

110

131-

130

180

105

102

(57)摘要

一种磁性单元包含磁性区，所述磁性区由包

括扩散物质及至少一种其它物质的前驱物磁性材料形成。非晶区接近于所述磁性区且由包括至少一种吸子物质的前驱物陷获材料形成，所述至少一种吸子物质具有至少一个陷获位点及对所述扩散物质的化学亲和力。所述扩散物质从所述前驱物磁性材料转移到所述前驱物陷获材料，其中所述扩散物质在所述陷获位点处键结到所述至少一种吸子物质。所述浓化陷获材料的物质可

置。

CN106415868B权利要求书1/2页

2

1.一种存储器单元，其包括：

磁性单元核心，其包括：

磁性区，其包括由前驱物磁性材料形成的耗尽磁性材料，所述前驱物磁性材料包括至少一种扩散物质及至少一种其它物质，所述耗尽磁性材料包括所述至少一种其它物质；

另一磁性区；

氧化物区，其介于所述磁性区与所述另一磁性区之间；及

非晶区，其与所述磁性区相接触，所述非晶区由前驱物陷获材料形成，所述前驱物陷获材料包括至少一种吸子物质，所述至少一种吸子物质具有至少一个陷获位点且对所述至少一种扩散物质的化学亲和力高于所述至少一种其它物质对所述至少一种扩散物质的化学亲和力，所述非晶区包括键结到来自所述前驱物磁性材料的所述至少一种扩散物质的所述至少一种吸子物质。

2.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述磁性区具有匹配所述氧化物区的晶体结构的晶体结构。

3.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述磁性区及所述另一磁性区展现垂直磁性定向。

4.根据权利要求1所述的存储器单元，其中：

所述至少一种扩散物质包括硼；且

所述至少一种其它物质包括钴及铁。

5.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述至少一种吸子物质包括钴、铁及钨，所述非晶区包括大于三十五原子百分比(35at.%)的钨。

6.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述存储器单元展现大于1.00(100%)的隧道磁阻。

7.根据权利要求1所述的存储器单元，其进一步包括通过所述非晶区与所述磁性区间隔开的次级氧化物区。

8.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述前驱物磁性材料是非晶的。

9.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述至少一种吸子物质包括吸子物质及另一吸子物质。

10.根据权利要求9所述的存储器单元，其中所述前驱物陷获材料包括与所述另一吸子物质的子区交替的所述吸子物质的子区。

11.一种形成磁性