CN107546112B SiC欧姆接触结构及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN107546112B公告日2020.02.07

(21)申请号201710583808.0

(22)申请日2017.07.18

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN107546112A

(43)申请公布日2018.01.05

(73)专利权人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人张艺蒙李彦良张玉明宋庆文汤晓燕

(74)专利代理机构西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230

代理人刘长春

(51)Int.CI.

HO1L21/04(2006.01)

HO1L29/45(2006.01)

(56)对比文件

US9013002B1,2015.04.21,

CN106683994A,2017.05.17,

CN103578960A,2014.02.12,

RobertS.0kojie.《Reliability

assessmentofTi/TaSi2/PtohmiccontactsonSiCafter1000hat600℃》.《JournalofAppliedPhysics》.2002,第91卷

ARIELVIRSHUP等.ImprovedThermal

StabilityObservedinNi-BasedOhmic

Contactston-TypeSiCforHigh-

TemperatureApplications.《Journalof

ElectronicMaterials》.2010,第40卷第400-405页.

ARIELVIRSHUP等.Investigationof

ThermalStabilityandDegradation

MechanismsinNi-BasedOhmicContactston-TypeSiCforHigh-TemperatureGas

Sensors.《JournalofElectronic

Materials》.2009,第38卷审查员王建霞

权利要求书1页说明书5页附图5页

(54)发明名称

步骤(a)制作

步骤(a)

制作SiC衬底

步骤(b)

在所述衬底表面依次淀积第一Ni层、Ti层、第二Ni层、TaSi?层和Pt层

步骤(c)

退火处理以完成所述SiC欧姆接触结构的制作

(57)摘要

CN107546112B本发明涉及一种SiC欧姆接触结构及其制作方法，包括：制作SiC衬底；在所述衬底表面依次淀积第一Ni层、Ti层、第二Ni层、TaSi2层和Pt层；退火处理以完成所述SiC欧姆接触结构的制作。本发明提供的

CN107546112B

CN107546112B权利要求书1/1页

2

1.一种SiC欧姆接触结构的制作方法，其特征在于，包括：

(a)制作SiC衬底；包括：

(a1)选取4H-SiC衬底并对所述4H-SiC衬底进行标准RCA清洗；

(a2)利用PECVD工艺，在所述4H-SiC衬底表面淀积厚度为100nm的氧化层；

(a3)刻蚀所述氧化层形成离子注入窗口，利用离子注入工艺，对所述4H-SiC衬底表面进行N+、P+离子注入形成N型掺杂区和P型掺杂区；

(a4)刻蚀掉剩余的氧化层，并进行第二退火处理；

(b)利用掩膜版对所示衬底表面进行光刻，形成CTLM图形；在所述衬底表面依次淀积第一Ni层、Ti层、第二Ni层、TaSi?层和Pt层；其中，所述第一Ni层、Ti层、第二Ni层均采用直流磁控溅射工艺淀积；

(c)进行第一退火处理以完成所述SiC欧姆接触结构的制作。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤(a3)中所述N型掺杂区的掺杂源为A1,掺杂浓度为1.0×102?cm3;所述P型掺杂区的掺杂源为N,掺杂浓度为3.0×102?cm?3。

3.根据权利要求1所