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- 2026-03-08 发布于重庆
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN107240643A
(43)申请公布日2017.10.10
(21)申请号201710362059.9
(22)申请日2017.05.22
(71)申请人太原理工大学
地址030024山西省太原市万柏林区迎泽
西大街79号
(72)发明人郝玉英尉渊房晓红刘红利张帆李战峰孙钦军崔艳霞
(74)专利代理机构太原市科瑞达专利代理有限公司14101
代理人李富元
(51)Int.CI.
HO1L51/42(2006.01)
HO1L51/46(2006.01)
HO1L51/48(2006.01)
权利要求书2页说明书5页附图3页
(54)发明名称
溴元素掺杂甲胺铅碘钙钛矿太阳能电池及其制作方法
(57)摘要
本发明属于太阳能电池领域,特别涉及一种有机一无机杂化钙钛矿型太阳能电池。溴元素掺杂甲胺铅碘钙钛矿太阳能电池,该太阳能电池的光敏层一种溴元素掺杂的甲胺铅碘钙钛矿CH?NH?PbI?×Brx薄膜,是由甲基碘化胺CH?NH?I、碘化铅PbI?混合后溶解于N,N-二甲基甲酰胺DMF和二甲基亚砜DMSO混合溶剂中,形成CH?NH?PbI?钙钛矿前驱液,然后通过旋涂、清洗工艺并结合多步气氛退火处理工艺制成的。在CH?NH?PbI?
CN107240643
CN107240643A
CN107240643A权利要求书1/2页
2
1.溴元素掺杂甲胺铅碘钙钛矿太阳能电池,其特征在于:该太阳能电池的光敏层是一种溴元素掺杂的甲胺铅碘钙钛矿CH?NH?PbI?-xBrx薄膜,是由甲基碘化胺CH?NH?I、碘化铅PbI?混合后溶解于N,N-二甲基甲酰胺DMF和二甲基亚砜DMSO混合溶剂中,形成CH?NH?PbI?钙钛矿前驱液,然后通过旋涂、清洗工艺并结合多步气氛退火处理工艺制成的,在CH?NH?PbI?-xBrx薄膜中,溴含量x的值在0.2与0.6之间。
2.根据权利要求1所述的溴元素掺杂甲胺铅碘钙钛矿太阳能电池,其特征在于:甲基碘化胺CH?NH?I和碘化铅PbI?的摩尔比为1.1:1,N,N-二甲基甲酰胺DMF和二甲基亚砜DMSO混合溶剂中N,N-二甲基甲酰胺DMF和二甲基亚砜DMSO的体积比为:9:1,在CH?NH?PbI?钙钛矿前驱液中,PbI?的摩尔浓度为2.0mol/L。
3.根据权利要求1所述的溴元素掺杂甲胺铅碘钙钛矿太阳能电池,其特征在于:旋涂、清洗工艺是指将CH?NH?PbI?钙钛矿前驱液旋涂在ITO/PEDOT:PSS基底上,在开始旋涂后5-15s时将仲丁醇直接滴加在CH?NH?PbI?钙钛矿薄膜上清洗一次,滴加量为200-500μl,清洗过程控制在1-1.5s内完成,在清洗过程中基底保持旋转状态,上述旋涂、清洗过程是在空气环境下完成的,相对湿度(RH)30-40%,温度20-25℃。
4.根据权利要求1所述的溴元素掺杂甲胺铅碘钙钛矿太阳能电池,其特征在于:多步气氛退火处理是将旋涂清洗后的CH?NH?PbI?钙钛矿薄膜放在热台上顺序在空气气氛中退火25-40min、在含空气的DMSO、HBr及H?O混合热蒸汽下退火3-8min、在含空气的DMSO热蒸汽下退火10min、在含空气的CH?NH?和H?O混合热蒸汽中退火5-8min,热台温度始终保持在100℃。
5.溴元素掺杂的甲胺铅碘钙钛矿太阳能电池制作方法,其特征在于:按照如下的步骤进行
步骤一、在玻璃基底上沉积一层均匀的铟锡氧化物ITO作为电池的阳极;
步骤二、在铟锡氧化物ITO层上沉积一层厚度为20-30nm的聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸PEDOT:PSS薄膜作为空穴传输层;
步骤三、在PEDOT:PSS薄膜上沉积一层光敏层;
步骤四、在光敏层上面再沉积一层厚度为30-40nm的[6,6]-苯基C?0-丁酸甲酯PC?oBM作为电子传输层;
步骤五、在电子传输层上沉积一层厚度为1-5nm的[4,7]-二苯基-[1,10]-菲啰啉Bphen作为界面修饰层;
步骤六、在界面修饰层上真空热蒸镀一层连续的铝膜或银膜作为电池的阴极。
6.根据权利要求5所述的溴元素掺杂甲胺铅碘钙钛矿太阳能电池制作方法,其特征在于:
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