CN107275407A 一种碳化硅vdmos器件及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN107275407A

(43)申请公布日2017.10.20

(21)申请号201710433429.3

(22)申请日2017.06.09

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

(72)发明人张金平邹华刘竞秀李泽宏任敏张波

(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232

代理人葛启函

(51)Int.CI.

HO1L29/78(2006.01)

HO1L29/16(2006.01)

HO1L29/06(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)

权利要求书3页说明书15页附图9页

(54)发明名称

一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法

(57)摘要

CN107275407A本发明公开了一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法，属于功率半导体技术领域。本发明通过在传统碳化硅VDMOS器件的JFET区表面刻蚀沟槽，并在沟槽底部引入P型掺杂，同时在沟槽内形成多晶硅层，使得多晶硅层与沟槽侧壁接触形成Si/SiC异质结。本发明在器件内