CN107564959A 一种mos栅控晶闸管及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN107564959A

(43)申请公布日2018.01.09

(21)申请号201710761364.5

(22)申请日2017.08.30

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新西区西源

大道2006号

(72)发明人陈万军夏云刘超高吴昊左慧玲邓操

(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232

代理人孙一峰

(51)Int.CI.

HO1L29/745(2006.01)

HO1L29/749(2006.01)

HO1L21/332(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图10页

(54)发明名称

一种MOS栅控晶闸管及其制作方法

(57)摘要

CN107564959A本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种MOS控制晶闸管及其制作方法。本发明对常规MCT的阴极以及栅极区进行改造，通过在栅下增加薄的P型半导体层，使得器件在栅上不加电压器件正向阻断时，P+阳极注入空穴形成的空穴漏电流能通过P型短路结构抽走，使器件实现耐压。正向导通时，在栅上加正电压时，P型半导体层反型形成电子沟道，N型半导体源区和中的电子进漂移区内，由P+阳极、漂移区、P型基区和N型源区构成的左侧PNPN晶闸管与右侧P+阳极、漂移区、P型基区和N型源区构成的右侧PNPN晶闸管接连发生闩锁，器件获得低的导通电阻，以及导通时不存在snapback现象。本发明的阴极PN结两层结构使用双重扩散工艺，与传统

CN107564959A

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CN107564959A权利要求书1/1页

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1.一种MOS栅控晶闸管，其元胞结构包括阳极结构、漂移区结构、阴极结构和栅极结构；所述阳极结构包括P+阳极(2)和位于P+阳极(2)下表面的阳极金属(1);所述漂移区结构包括位于P+阳极上表面的N-漂移区(3);所述阴极结构包括第一阴极和第二阴极；所述第一阴极结构包括第一阴极金属(14)、第一N型半导体源区(13)和第一P型半导体基区(12);所述第一P型半导体基区(12)设置在漂移区(3)顶部的一侧；所述第一N型半导体(13)设置在第一P型半导体基区(12)上，其上表面与阴极金属(14)相连；所述第二阴极结构包括第二阴极金属(10)、第二N型半导体源区(5)、P型短路区(11)、第二P型半导体基区(4);所述第二P型半导体基区(4)设置在漂移区(3)顶部的另一侧；所述第二N型半导体源区(5)和P型短路区(11)设置在第二P型半导体基区(4)上；所述第二阴极金属(10)位于第二N型半导体源区(5)和P型短路区(11)的上表面；所述栅极结构位于漂移区(3)顶部以及第一、第二阴极之间，由栅氧化层(8)、位于栅氧化层(8)下方的薄P型半导体区(15)和位于栅氧化层(8)顶部的多晶硅栅极(9)构成；其特征在于，第一P型半导体基区(12)通过薄P型半导体区(15)与第二P型半导体基区(4)相连接。

2.一种MOS栅控晶闸管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步：在硅片衬底上制作结终端，形成N型漂移区(3);

第二步：在N型漂移区(3)上表面通过热氧化形成氧化层(16);

第三步：在N型漂移区(3)上层两侧注入P型杂质并推结形成P型半导体基区(12)和(4);

第四步：在N型漂移区(3)上层注入N型杂质形成N型半导体源区(13)和(5);N型半导体源区(5)形成之后，留下P型半导体基区短路结构(11),所述N型半半导体源区(13)位于P型半导体基区(12)中；N型半导体源区(5)位于P型半导体基区(4)中；

第五步：刻蚀氧化层(16),在原氧化层(16)下通过注入P型杂质形成薄的P型半导体层

(15);

第六步：在薄的P型半导体层(15)上表面中间通过热氧化形成栅氧层(8),并在栅氧层(8)上淀积一层多晶硅/金属再刻蚀形成栅电极(9);

第七步：在器件上表面淀积BPSG绝缘介质层，刻蚀欧姆接触孔；

第八步：在N型半导体源区(13)和N型半导体源区(5)上表面淀积金属，分别形成阴极金属(14)和(10);阴极金属(14)的底部与N型半导体源区(13)相连；阴极金属(10)的底部与N型半导体源区(5)和P型半导体基区短路结构(11)相连；

第九步：淀积钝化层；

第十步：对N型半导体漂移区(3)下表