CN107408492A 用于制作基于第iii族元素氮化物的钝化半导体结构的方法以及这样的结构 （国家科研中心）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN107408492A

(43)申请公布日2017.11.28

(21)申请号201680013729.X

(22)申请日2016.01.21

(30)优先权数据01.21FR

(85)PCT国际申请进入国家阶段日

2017.09.05

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/FR2016/0501242016.01.21

(87)PCT国际申请的公布数据

(74)专利代理机构中国国际贸易促进委员会专

利商标事务所11038代理人郭思宇

(51)Int.CI.

HO1L21/02(2006.01)

WO2016/116713FR2016.07.28

(71)申请人国家科研中心地址法国巴黎

(72)发明人F·西蒙德E·傅雷斯奈特J·迈西斯

权利要求书2页说明书10页附图4页

(54)发明名称

110沉积AIN

110

沉积AIN层

形成缓冲层

100

沉积AIGaN层

沉积钝化层1×3

201

120

(57)摘要

CN107408492A本发明涉及用于制作半导体结构的方法，其特征在于，该方法包括沉积连续地覆盖基于第III族元素氮化物的层的整个表面的钝化结晶层的步骤(201),所述钝化结晶层由含有硅原子和氮原子流的前体沉积，由与基于第III族元素氮化物的层的表面结合并且以周期性布置被布置的硅原子构成，使得通过电子沿方向[1-100]的掠入射衍射获得的所述钝化结晶层的衍射图像包括：中心线(0,0)与整数阶线(0,-1)之间的两个非整数阶衍射线(0,-1/3)和(0,-2/3);以及中

CN107408492A

CN107408492A权利要求书1/2页

2

1.一种用于制作钝化半导体结构的方法，所述钝化半导体结构形成基于第III族元素氮化物的结构的支撑体，其特征在于，所述方法包括沉积(201)用于覆盖半导体结构的基于第III族元素氮化物的层的整个表面的钝化结晶层(31)的步骤，所述钝化结晶层由含有硅原子和氮原子流的前体沉积，并且，所述钝化结晶层(31)由与基于第III族元素氮化物的层的表面结合并且沿着结晶方向[1-100]呈现三重周期性的硅和氮原子构成，以使得通过电子沿方向[1-100]的掠入射衍射获得的所述钝化结晶层的衍射图像包括：

一中心线(0,0)和整数阶线(0,-1)和(0,1);

一中心线(0,0)与整数阶线(0,-1)之间的两个非整数阶衍射线(0,-1/3)和(0,-2/3);以及

一中心线(0,0)和整数阶线(0,1)之间的两个非整数阶衍射线(0,1/3)和(0,2/3),

一中止钝化结晶层的沉积并获得形成基于第III族元素氮化物的结构的支撑体的钝化半导体结构。

2.根据前面的权利要求所述的方法，其中，钝化结晶层沿结晶方向[1-210]呈现单一周期性，使得通过电子沿方向[1-210]的掠入射衍射获得的所述钝化结晶层的衍射图像包括在其间没有非整数阶线的中心线(0,0)与整数阶线(0,-1)和(0,1)。

3.根据前面的权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述钝化结晶层由硅和氮原子构成，所述硅和氮原子与基于第III族元素氮化物的层的表面结合，并且以关于第III族元素氮化物层的晶格网络旋转30°的六方周期性布置和为基于第III族元素氮化物的层的晶格网络的晶格参数的3倍的晶格参数进行布置。

4.根据前面的权利要求中的任一项所述的方法，其中，沉积钝化结晶层的步骤包含超真空沉积。

5.根据前面的权利要求所述的方法，其中，沉积钝化结晶层的步骤包含通过分子束外延的沉积。

6.根据前面的权利要求所述的方法，包括通过在沉积钝化结晶层的步骤期间电子沿方向[1-100]的掠入射衍射以获得所述钝化结晶层的衍射图像来测量钝化结晶层的覆盖率的步骤，其中，沉积钝化结晶层的步骤的持续时间是通过沿结晶方向[1-100]的电子衍射获得的钝化结晶层的衍射图像的至少一个非整数阶衍射线的强度的函数。

7.根据前面的权利要求所述的方法，其中，沿方向[1-100]的结晶层的衍射图像包含：

一中心线(0,0)和整数阶线(0,-1)和(0,1);

一中心线(0,0)与整数阶线(0,-1)之间的两个非整数阶衍射线(0,-1/3)和(0,