CN107393998B 一种可调吸收频率的量子阱红外探测器及其制作方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN107393998B公告日2019.06.21

(21)申请号201710499126.1

(22)申请日2017.06.27

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN107393998A

(43)申请公布日2017.11.24

(73)专利权人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区张江高斯路

497号

(72)发明人康晓旭

(74)专利代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275

代理人吴世华陈慧弘

(51)Int.CI.

HO1L31/101(2006.01)

H01L31/0352(2006.01)

HO1L31/18(2006.01)

HO1L41/08(2006.01)

审查员卢青

权利要求书1页说明书4页附图2页

(54)发明名称

一种可调吸收频率的量子阱红外探测器及其制作方法

(57)摘要

CN107393998B本发明公开了一种可调吸收频率的量子阱红外探测器及其制作方法，所述可调吸收频率的量子阱红外探测器从下往上依次包括衬底、金属支撑层、量子阱单元、压电材料层，还包括上电极、下电极和压电电极，位于衬底上方的金属支撑层内部为凹槽，且与所述量子阱单元形成微桥谐振腔，所述压电材料层位于量子阱单元的上方，所述上电极和下电极连接量子阱单元的最上层和最下层，且在电极与量子阱单元接触区域通过离子注入方式形成欧姆接触层，所述压电电极连接压电材料层。本发明提供的一种可调吸收频率的量子阱红外探测器含有压电材料层，通过调

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CN107393998B权利要求书1/1页

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1.一种可调吸收频率的量子阱红外探测器，其特征在于，从下往上依次包括衬底、金属支撑层、量子阱单元、压电材料层，还包括上电极、下电极和压电电极，位于衬底上方的金属支撑层内部为凹槽，且内部凹槽与所述量子阱单元形成微桥谐振腔，所述微桥谐振腔为空腔，形成微桥谐振腔的金属支撑层仅在边缘位置与量子阱单元连接，位于所述微桥谐振腔上方的量子阱单元为红外光入射区域，所述压电材料层位于量子阱单元的上方，所述上电极连接量子阱单元的最上层，所述下电极连接量子阱单元的最下层，所述压电电极连接压电材料层。

2.根据权利要求1所述的一种可调吸收频率的量子阱红外探测器，其特征在于，所述上电极和压电电极为环形结构。

3.根据权利要求1所述的一种可调吸收频率的量子阱红外探测器，其特征在于，所述上电极与量子阱单元最上层连接区域通过离子注入工艺形成上电极欧姆接触层，所述下电极与量子阱单元最下层连接区域通过离子注入工艺形成下电极欧姆接触层。

4.根据权利要求1所述的一种可调吸收频率的量子阱红外探测器，其特征在于，所述量子阱单元为GaAs层和AlxGa1-xAs层交替形成，其中，AlxGa1-xAs层的厚度小于GaAs层的厚度，且所述量子阱单元的最上层和最下层均为GaAs层。

5.根据权利要求1所述的一种可调吸收频率的量子阱红外探测器，其特征在于，所述量子阱单元为InGaAs层和AlxGa1-xAs层交替形成，其中，AlxGa?-xAs层的厚度小于InGaAs层的厚度，且所述量子阱单元的最上层和最下层均为InGaAs层。

6.根据权利要求1所述的一种可调吸收频率的量子阱红外探测器，其特征在于，所述量子阱单元为Si层和SixGe1-x层交替形成，其中，SixGe?-x层的厚度小于Si层的厚度，且所述量子阱单元的最上层和最下层均为Si层。

7.根据权利要求1所述的一种可调吸收频率的量子阱红外探测器，其特征在于，所述上电极、下电极和压电电极为Pt和/或Al。

8.一种制作权利要求1所述的可调吸收频率的量子阱红外探测器的方法，具体步骤如下：

S01:在临时衬底上方采用外延生长法生长量子阱单元；

S02:在量子阱单元上方沉积牺牲层，在牺牲层边缘图形化并填充金属支撑层，在牺牲层的上方再沉积金属支撑层；

S03:去除牺牲层，在金属支撑层内部形成凹槽，且内部凹槽与量子阱单元形成微桥谐振腔；

SO4:将金属支撑层键合在衬底上，并去除临时衬底；

S05:在量子阱单元的另一侧沉积压电材料层，

S06:在量子阱单元的最上层制作上电极，在量子阱单元的最下层制作下电极，在压电材料层上制作压电电极。

9.根据权利