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DC-DC变换器中误差放大器AMP模块版图设计

1DC—DC变换器中误差放大器AMP模块电路

误差放大器是整个变换器电路的核心，原理上说，误差放大电路内部实质上是一

个具有高放大倍数的多级直接耦合放大电路。误差放大器的电路结构如下：

DC-1.222V

±

「0

误差放大器的原埋图如卜:

版图是集成电路设计走向制造的桥梁，它包含了集成电路尺寸，电阻电容大小等

器件相关的物理信息数据。版图设计是创造工程制图（网表）的精确的物理描述过

程，即定义各工艺层图形的形状，尺寸以及不同工艺层的相对位置的过程。其设计

目标有以下三方面：

1.满足电路功能，性能指标，质量要求；

2.尽可能节省面积，以提高集成度，降低成本；

3.尽可能缩短连线，以减少复杂度，缩短延时，改善可能性。

下面是我对误差放大器AMP模块版图设计及仿真的过程。

2DC-DC变换器中误差放大器AMP模块版图设计及仿真

2.1版图设计的前仿真

2.1.1替换及其他基本设置

此次版图所用工艺为MOSIS/ORBIT1.2uSCNA。(设置替换路径为：C:\program

file\TannerEDA\TannerToolvl3.1\L-EditandLVS\Tcch\Moi\morbnl2)

替换设置后,将设置-设计-technology下的technologytomicromap改为:

1Lambda=

micronso

2.1.2版图的基本绘制

下面为常用的CMOS工艺版图与工艺的关系：

（1）N阱：做N阱的封闭图形处，窗口注入形成P管的衬底

2（）.有源区：做晶体管的区域G（,D,S,B区），封闭图形处是氮化硅掩蔽层,

该处不会长场氧化层

（3）.多晶硅：做硅栅和多晶硅连线。封闭图形处，保留多晶硅。

4（）.有源区注入：P+,N+区。做源漏及阱或衬底连接区的注入

（5）.接触孔：多晶硅，扩散区和金属线1接触端子。

6（）.金属线1:做金属连线，封闭图形处保留侣

(7).通孔：两层金属连线之间连接的端子

(8).金属线2:做金属连线，封闭图形处保留铝

①NMOS与PMOS的绘制

绘制NMOS要用到的图层有Active、NSelect、Poly、ActiveContactsMetal1,

而PMOS管的版图绘制需要用到NWell、ActivePSelect^Poly、Active

ContactMetal1,其中Poly的长度就是晶体管的L,Active的高度就是晶体管的

WoPMOS管与NMOS管的版图如图1所示。

(a)PMOS(b)NMOS

对于大尺寸的MOS管，要节省版图的面积，需要对版图让行优化处理。对于宽度很

宽的M0S管，应采用“叉指结构”，以减少漏源和栅极面积；使用指状晶体管的另

•个原因是优化由晶体管宽度所引起的多晶硅栅电阻。因为多晶硅是由单端驱动的,

存在电阻，所以需要一个准则来规定单个指状晶体管的最大长度。因此，对于大晶

体管来说，将其设计成多个指状晶体管是遵守最大宽度准则的唯一方法。对于长度

很长的UOS管，应采用折叠形式；宽度很窄的MOS管，应采用狗骨形画法；对于共

用源或漏的MOS管，且两MDS管尺寸相同，为节省空间或使寄生结电容最小、应将

共用的源或漏合并在一起。

如：叉指状MOS晶体管：ABBA

图4叉指状MOS晶体管

②电容版图

在两个悬浮导电层之间生长或者淀积一层相对比较薄的氧化层，从而形成一个下极

板寄生电容适中的高密度电容器。用L-Edit软件绘制电容版图时的步骤如下：首

先计算电容的有效面积，进而确定有效面积所对应