CN107851605A 半导体器件及其制作方法 （香港科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN107851605A

(43)申请公布日2018.03.27

(21)申请号201680040005.4

(22)申请日2016.07.06

(30)优先权数据

62/231,4492015.07.06US

(85)PCT国际申请进入国家阶段日

2018.01.05

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/CN2016/0887562016.07.06

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2017/005188EN2017.01.12

(71)申请人香港科技大学

地址中国香港九龙清水湾

(72)发明人何庆林赖英凯刘艺苏荫强

权

(74)专利代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201

代理人宋融冰

(51)Int.CI.

HO1L21/70(2006.01)

HO1L33/00(2006.01)

利要求书2页说明书7页附图7页

(54)发明名称

半导体器件及其制作方法

(57)摘要

CN107851605A一种二极管、紫外辐射探测器和半导体器件制造方法，包含具有第一面和第二面的基底的二极管。二极管包含活性层，基底第一面上有CaS的岩盐相晶体结构，另一面设有电触点。二极管在活性层上还设有半透明导电层。紫外辐射探测器包含二极管以及连接半透明导电层和电触点的电路。紫外辐射探测器能够探测到波长在220到280

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CN107851605A权利要求书1/2页

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1.一种二极管，所述二极管包括：

具有第一面和第二面的基底，所述第一面和所述第二面位于所述基底的相对面上；

包含设置于所述基底的所述第一面上的岩盐相晶体结构CaS的活性层；

设置在所述基底的所述第二面上的电触点；和

设置在所述活性层上的半透明导电层。

2.根据权利要求1所述的二极管，其中所述基底具有5.69A的晶格常数。

3.根据权利要求1所述的二极管，所述二极管是以零偏压模式操作的肖特基势垒二极管。

4.根据权利要求1所述的二极管，其中所述活性层厚度在20-50nm之间。

5.根据权利要求3所述的二极管，其中所述肖特基势垒二极管的外部量子效率在235nm的波长处至少为19%。

6.根据权利要求1所述的二极管，其中所述基底是n?-GaAs基底。

7.根据权利要求1所述的肖特基势垒二极管，其中所述半透明导电层是10nm厚的金层。

8.一种紫外辐射检测器，包括：

二极管，所述二极管包括：

具有第一面和第二面的基底，所述第一面和所述第二面位于所述基底的相对面上；

包含设置于所述基底的所述第一面上的岩盐相晶体结构CaS的活性层；

设置在所述基底的所述第二面上的电触点；和

设置在所述活性层上的半透明导电层；和

连接所述半透明导电层和所述电接触的电路，

其中所述紫外辐射检测器被配置为检测具有220至280nm之间波长的辐射。

9.根据权利要求8所述的紫外辐射检测器，其中，所述二极管是肖特基势垒二极管，其在零偏压模式下操作时在235nm的波长处具有至少19%的外部量子效率。

10.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在基底上生长二元分子前驱层，使用分子束外延在所述基底的一面上将所述基底加热至第一温度，

在分子束外延的通量下，以第一速率将所述基底的温度升高至第二温度；

在分子束外延的通量下，在第一时间段，将所述基底的温度保持在所述第二温度；

在分子束外延的通量下，以第二速率将所述基底的温度降低至第三温度；以及

在第二时间段，在所述二元分子前驱层上生长第二层，所述第二层由与所述前驱层相同的二元分子材料形成，以形成包括所述第一层和第二层的活性层，

其中所述基底相对于所述活性层具有在0.47%和12.6%之间的晶格失配。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述二元分子前驱层是CaS层。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述分子束外延中的Ca和S源分别保持在430℃和910℃。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述二元分子前驱层生长至5nm的厚度。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述活性层生长至20nm的厚度。

15.根据权利要求10所述的方法，还包括：

在所述活性层上设置半透明导电层；

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