CN105865668B 压力传感成像阵列、设备及其制作方法 （北京纳米能源与系统研究所）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN105865668B公告日2019.12.10

(21)申请号201510026178.8

(22)申请日2015.01.20

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN105865668A

(43)申请公布日2016.08.17

(73)专利权人北京纳米能源与系统研究所

地址100083北京市海淀区学院路30号天

工大厦C座

(72)发明人翟俊宜彭铭曾

(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021

代理人宋焰琴

(56)对比文件

CN103681979A,2014.03.26,

CN103765567A,2014.04.30,

US2012322164A1,2012.12.20,

US2010/0171130A1,2010.07.08,CN102169933A,2011.08.31,

US5150191A1,1992.09.22,

CN101467273A,2009.06.24,审查员潘如琴

(51)Int.CI.

GO1L1/16(2006.01)

GO1L1/24(2006.01)权利要求书3页说明书7页附图2页

(54)发明名称

压力传感成像阵列、设备及其制作方法

(57)摘要

CN105865668B本发明提出一种采用全光方式、基于光致发光原理的压力传感成像阵列、设备及其制作方法，所述压力传感成像阵列包括基底(L1)和在基底(L1)上的形成的柱形发光阵列，所述柱形发光阵列由多个有序排列的柱形发光单元组成，每个所述柱形发光单元包括自下而上依次叠置的下导电层(L2)、光吸收层(L3)和上导电层(L4),光吸收层(L3)的带隙能量小于基底(L1)和下导电层(L2)的带隙能量，或者，所述光吸收层(L3)的带隙能量小于上导电层(L4)的带隙能量。所述设备还包括激发光源(D1)和成像感光元件(D3)。本发明避免了器件自热问题和像素数目限制，可实

CN105865668B

CN105865668B权利要求书1/3页

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1.一种压力传感成像阵列，包括基底(L1)和在基底(L1)上形成的柱形发光阵列，所述柱形发光阵列由多个柱形发光单元组成；

每个所述柱形发光单元包括自下而上依次叠置的下导电层(L2)、光吸收层(L3)和上导电层(L4);

所述光吸收层(L3)的带隙能量小于基底(L1)和下导电层(L2)的带隙能量，以使所述光吸收层(L3)能够从所述基底(L1)底部吸收外部入射的激发光的光子，所述光吸收层(L3)吸收激发光的光子后，发生辐射复合产生光致荧光(D2),所述光致荧光(D2)透射所述基底(L1)而出射；

或者，所述光吸收层(L3)的带隙能量小于上导电层(L4)的带隙能量，以使所述光吸收层(L3)能够从所述上导电层(L4)顶部吸收外部入射的激发光的光子，所述光吸收层(L3)吸收激发光的光子后，发生辐射复合产生光致荧光(D2),所述光致荧光(D2)透射所述上导电层(L4)而出射。

2.如权利要求1所述的压力传感成像阵列，其特征在于，所述基底(L1)是蓝宝石、碳化硅、氮化镓、氧化锌、金刚石、石英玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺或聚二甲基硅氧烷。

3.如权利要求1或2所述的压力传感成像阵列，其特征在于，所述下导电层(L2)的材料为n型半导体材料及上导电层(L4)的材料为p型半导体材料，或者下导电层(L2)的材料为p型半导体材料及上导电层(L4)为n型半导体材料。

4.如权利要求1或2所述的压力传感成像阵列，其特征在于，所述光吸收层(L3)的材料为含有GaN基、GaP基、GaAs基的二元、三元、四元或多元材料，或者含有Zn0基、ZnS基、ZnSe基的二元、三元、四元或多元材料，或者异质结、量子阱或超晶格材料。

5.根据权利要求3所述的压力传感成像阵列，其特征在于，所述光吸收层(L3)的材料为含有GaN基、GaP基、GaAs基的二元、三元、四元或多元材料，或者含有ZnO基、ZnS基、ZnSe基的