CN105280643B 用于集成电路晶体管器件的背侧源极漏极接触及其制作方法 （意法半导体公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN105280643B公告日2018.06.12

(21)申请号201510026032.3

(22)申请日2015.01.19

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN105280643A

(43)申请公布日2016.01.27

(30)优先权数据

14/298,0002014.06.06US

(73)专利权人意法半导体公司地址美国得克萨斯州

(72)发明人J·H·张W·克利迈耶

(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所

11256

代理人王茂华

(51)Int.CI.

HO1L27/092(2006.01)

HO1L29/417(2006.01)

HO1L21/8238(2006.01)

HO1L21/28(2006.01)

(56)对比文件

CN102804387A,2012.11.28,

US2007029611A1,2007.02.08,US2003054594A1,2003.03.20,CN103548140A,2014.01.29,

审查员沈冬云

权利要求书3页说明书8页附图20页

(54)发明名称

用于集成电路晶体管器件的背侧源极-漏极接触及其制作方法

24(57)摘要

24

本发明的各个实施例涉及用于集成电路晶体管器件的背侧源极-漏极接触及其制作方法。集成电路晶体管形成在衬底上和在衬底中。用金属材料至少部分地填充在衬底中的沟槽，以形成埋置在衬底中的源极(或者漏极)接触。衬底进一步包括外延生长在源极(或者漏极)接触上方的源极(或者漏极)区域。衬底进一步包括与源极(或者漏极)区域相邻的沟道区域。在沟道区域的

CN105280643B顶上设置栅极电介质并且在栅极电介质的顶上提供栅极电极。衬底优选地是绝缘体上硅(SOI)

CN105280643B

CN105280643B权利要求书1/3页

2

1.一种集成电路晶体管，包括：

衬底，包括绝缘层和上覆半导体层，所述衬底包括延伸进入所述绝缘层中的沟槽；

金属材料，至少部分地填充在所述绝缘层中的所述沟槽，以形成埋置在所述衬底中的源极接触；

源极区域，由所述上覆半导体层形成，所述源极区域位于所述源极接触的顶上并且与所述源极接触电接触；

沟道区域，在所述上覆半导体层中，与所述源极区域相邻；

栅极电介质，在所述沟道区域的顶上；以及

栅极电极，在所述栅极电介质的顶上。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述衬底包括绝缘体上硅(SOI)衬底，所述绝缘体上硅衬底进一步包括在所述绝缘层之下的基础衬底层。

3.根据权利要求2所述的晶体管，其中所述SOI衬底是超薄本体和埋置氧化物(UTBB)类型的。

4.根据权利要求3所述的晶体管，其中所述沟槽延伸通过所述绝缘层并且进入所述基础衬底层中。

5.根据权利要求4所述的晶体管，其中所述源极接触进一步包括绝缘材料的层，所述绝缘材料的层围绕所述源极接触，并且使所述源极接触与所述绝缘层隔离并且与所述基础衬底层隔离。

6.根据权利要求2所述的晶体管，进一步包括浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构将用于所述晶体管的有源区域隔离，以及其中在所述有源区域中的所述基础衬底层形成了用于所述晶体管的背侧栅极。

7.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述源极接触进一步包括硅化物区域。

8.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述源极接触进一步包括电介质材料的层，所述电介质材料的层围绕所述源极接触并且使所述源极接触与所述绝缘层隔离。

9.根据权利要求8所述的晶体管，其中所述源极接触形成电容器的第一电极，而所述电介质材料的层形成所述电容器的电介质。

10.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述栅极电极包括侧表面，以及其中所述栅极电介质不存在于所述栅极电极的所述侧表面上。

11.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述沟道区域和所述源极区域由不同的外延生长的半导体材料形成。

12.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述衬底具有底表面并且进一步包括导电元件，所述导电元件从所述底表面延伸进入所述衬底中。

13.根据权利要求12所述的晶体管，其中所述导电元件是散热器或者电接触中的一种。

14.根据权利要求13所述的晶体管，其中所述电