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新型Sb-Te基薄膜的制备工艺与相变性能优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的时代，材料科学作为众多领域创新的基石，始终扮演着至关重要的角色。新型Sb-Te基薄膜，作为一种具有独特物理性质和化学结构的材料，近年来在多个关键领域展现出了巨大的应用潜力，成为了材料研究领域的热点之一。

从存储领域来看，随着信息技术的爆炸式增长，数据量呈指数级上升，对存储技术的性能提出了更高的要求，包括存储密度、读写速度、数据保持性以及能耗等方面。相变存储器作为一种极具潜力的新型存储技术，利用材料在晶态和非晶态之间的可逆转变来存储信息，而Sb-Te基薄膜因其优异的相变特性，成为了相变