CN102157656A 一种加强载流子注入效率的氮化物发光二极管以及制作方法 （中山大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102157656A

(43)申请公布日2011.08.17

(21)申请号201110027942.5

(22)申请日2011.01.26

(71)申请人中山大学

地址510275广东省广州市新港西路135号

(72)发明人江灏王钢黄善津

(74)专利代理机构北京市立方律师事务所

11330

代理人张春耀

(51)Int.CI.

HO1L33/32(2010.01)

HO1L33/04(2010.01)

HO1L33/00(2010.01)

权利要求书2页说明书7页附图2页

(54)发明名称

一种加强载流子注入效率的氮化物发光二极管以及制作方法

(57)摘要

CN102157656A本发明为一种加强载流子注入效率的氮化物发光二极管以及制作方法，该二极管至少包括n型电子注入层、耦合多量子阱结构有源层和p型空穴注入层；所述耦合多量子阱结构有源层包括接近n型电子注入层的电子注入加强量子阱层，接近p型空穴注入层的空穴注入加强量子阱层以及在这两个注入加强量子阱层中间的复合量子阱区层；所述电子/空穴注入加强区层中的势垒宽度小于复合量子阱区层中的势垒宽度。本发明还包括了该发光二极管的制作方法。本发明的优势在于利用有源层中量子阱的电子基态能量的变化分布，分别同时提高了电子和空穴载流子隧穿注

CN102157656A

CN102157656A权利要求书1/2页

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1.一种加强载流子注入效率的氮化物发光二极管，其特征在于至少包括：n型电子注入层(14)、耦合多量子阱结构有源层(15)和p型空穴注入层(17);

所述耦合多量子阱结构有源层(15)包括接近n型电子注入层(14)的电子注入加强量子阱层(51),接近p型空穴注入层(17)的空穴注入加强量子阱层(53)以及在这两个注入加强量子阱层(51、53)中间的复合量子阱区层(52);

所述两个注入加强量子阱层(51、53)通过电子基态能量逐渐改变的多量子阱结构，使载流子趋向于注入复合量子阱区层(52)。

2.根据权利要求1所述的氮化物发光二极管，其特征在于：所述电子注入加强量子阱层(51)的量子阱(512)的电子基态能量在靠近n型电子注入层(14)一端最高，且沿远离n型电子注入层(14)方向逐渐降低；

所述空穴注入加强量子阱层(53)的量子阱(532)的电子基态能量在靠近p型空穴注入层(17)一端最高，且沿靠近p型空穴注入层(17)方向逐渐增高；

所述复合量子阱区层(52)的量子阱的电子基态能量相同且等于或低于电子注入加强量子阱层(51)和空穴注入加强量子阱层(53)的量子阱最低电子基态能量。

3.根据权利要求1或2任一项所述的氮化物发光二极管，其特征在于：所述耦合多量子阱结构有源层(15)中的量子阱材料为AlIn,Ga?--N,厚度为1nm～5nm,并且0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1;所述量子阱间的量子势垒材料为AlIn?Ga?-k-1N,并且0≤k≤1,0≤1≤1,0≤k+1≤1;所述势垒的禁带宽度大于量子阱的禁带宽度。

4.根据权利要求3所述的氮化物发光二极管，其特征在于：所述电子注入加强量子阱层(51)包括至少两个量子阱(512)和量子阱(512)间的量子势垒(511);所述量子势垒(511)厚度为t1,且1nm≤t1≤5nm;

所述电子注入加强量子阱层(51)沿远离n型电子注入层(14)方向上量子阱(512)阱宽逐渐变大，或In组份逐渐变大，或A1组份逐渐减小，或以上任意几种的结合；使量子阱(512)的电子基态能量在靠近n型电子注入层(14)处最高，并且沿远离n型电子注入层(14)方向逐渐降低。

5.根据权利要求4所述的氮化物发光二极管，其特征在于：所述空穴注入加强量子阱层(53)包括至少两个量子阱(532)和量子阱(532)间的量子势垒(531);所述量子势垒(531)的厚度为t3,且1nm≤t3≤t1≤5nm;

所述空穴注入加强量子阱层(53)沿靠近p型空穴注入层(17)方向上量子阱(532)阱宽逐渐变小，或In组份逐渐变小，或A1组份逐渐减大，或以上任意几种的结合；使得量子阱(532)电子基态能量在靠近p型空穴注入层(1