CN102306650A 像素结构及其制作方法 （友达光电股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102306650A

(43)申请公布日2012.01.04

(21)申请号201110263318.5

(22)申请日2011.09.07

(30)优先权数据

1001247732011.07.13TW

(71)申请人友达光电股份有限公司地址中国台湾新竹市

(72)发明人李建志沈佩谊郑景阳黄淑敏

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所

11105

代理人陈小雯

(51)Int.CI.

HO1L

HO1L

GO2FGO2F

27/02(2006.01)

21/77(2006.01)1/1362(2006.01)

1/1368(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图8页

(54)发明名称

像素结构及其制作方法

-100120

-100

120

124

122

-110

108

102

1410

116

116116a

118

CN102306650A本发明公开一种像素结构及其制作方法。像素结构包含有基板、设于基板上的电极图案、设置于电极图案上的第一绝缘层、设于第一绝缘层上的共通电极、设于共通电极上的第二绝缘层以及设于第二绝缘层上的漏极。第一绝缘层具有第一穿孔，且第二绝缘层具有第二穿孔。漏极包含通过第一穿孔与第二穿孔与电极图案电连接的第一部分及延伸至共通电极上方的第二部分。共通电极

CN102306650A

CN102306650A权利要求书1/2页

2

1.一种像素结构，包含有：

基板；

栅极，设置于该基板上；

电极图案，设置于该基板上；

第一绝缘层，设置于该基板、该栅极以及该电极图案上，且该第一绝缘层具有第一穿孔曝露出部分该电极图案；

共通电极，设置于该第一绝缘层上且对应于该电极图案；

第二绝缘层，设置于该共通电极与该第一绝缘层上，且该第二绝缘层具有一第二穿孔对应该第一穿孔；

半导体层，设置于该第二绝缘层上，且对应该栅极；

源极以及一漏极，设置于该半导体层与该第二绝缘层上，并对应该栅极的二侧，该漏极包含第一部分及第二部分，该漏极的该第一部分与该漏极的该第二部分相互连接，且该漏极的该第一部分通过该第一穿孔以及该第二穿孔与该电极图案电连接，该漏极的该第二部分延伸至该共通电极上方，其中该电极图案与该共通电极部分重叠且耦合而成一第一存储电容，且该漏极的该第二部分与该共通电极部分重叠且耦合而成一第二存储电容；

保护层，设置于该第二绝缘层、该半导体层、该源极以及该漏极上，且该保护层具有第三穿孔曝露出部分该漏极；以及

像素电极，设置于该保护层上，且该像素电极经由该第三穿孔与该漏极电连接。

2.如权利要求1所述的像素结构，其中该栅极与该电极图案由一第一金属层所构成。

3.如权利要求1所述的像素结构，其中该共通电极为一第二金属层。

4.如权利要求1所述的像素结构，其中该源极与该漏极由一第三金属层所构成。

5.如权利要求1所述的像素结构，其中该半导体层包括半导体通道层，以及一重掺杂半导体层设置于该半导体通道层与该源极以及该漏极之间。

6.如权利要求1所述的像素结构，其中该保护层的该第三穿孔曝露出该漏极的该第二部分。

7.如权利要求6所述的像素结构，另包括有机层，设于该保护层与该像素电极之间，且该有机层具有一第四穿孔对应该第三穿孔。

8.一种像素结构的制作方法，包含有：

提供一基板；

在该基板上形成一栅极与一电极图案；

在该栅极、该电极图案以及该基板上形成一第一绝缘层，并在该第一绝缘层上形成一共通电极；

在该第一绝缘层及该共通电极上形成一第二绝缘层，并在该第二绝缘层上形成一半导体通道层；

在该第二绝缘层中形成一第二穿孔，且经由该第二穿孔在该第一绝缘层中形成一第一穿孔，以曝露出部分该电极图案；

在该半导体通道层与该第二绝缘层上形成一源极与一漏极，且该漏极包含第一部分及第二部分，且该漏极的该第一部分与该漏极的该第二部分相互连接，该漏极的该第一部分通过该第一穿孔以及该第二穿孔与该电极图案电连接，该漏极的该第二部分延伸至该共通

CN102306650A权利要求书2/2页

3

电极上方，其中该电极图案与该共通电极部分重叠而构成一第一存储电容，且该漏极与该共通电极部分重叠而构成一第二存储电容；

在该第二绝缘层、该半导体通