CN102299482B 氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法 （苏州纳睿光电有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN102299482B

(45)授权公告日2013.06.19

(21)申请号201110208967.5审查员胡涛

(22)申请日2011.07.25

(73)专利权人苏州纳睿光电有限公司

地址215123江苏省苏州市工业园区独墅湖

高教区若水路398号C420

(72)发明人曾畅张书明刘建平王辉

冯美鑫李增成王怀兵杨辉

(74)专利代理机构北京华夏博通专利事务所(普通合伙)11264

代理人王锋

(51)Int.CI.

HO1S5/22(2006.01)

(56)对比文件

US2009/0141765A1,2009.06.04,附图1-3、说明书第0032段至0044段，0078至0081段.

US6618413B2,2003.09.09,附图7、说明书第6栏第10行至45行.

权利要求书2页说明书7页附图3页

(54)发明名称

氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法

(57)摘要

CN102299482B本发明公开了一种新型氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法，本