CN102279289A 一种基于(110)单晶硅的微悬臂梁探针制作方法 （大连理工大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102279289A

(43)申请公布日2011.12.14

(21)申请号201110055371.6

(22)申请日2011.03.09

(71)申请人大连理工大学

地址116100辽宁省大连市辽宁省大连市

(72)发明人崔岩赵林王飞程子洪

(74)专利代理机构大连理工大学专利中心

21200

代理人梅洪玉

(51)Int.CI.

GO1Q60/38(2010.01)

B81C1/00(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图3页

(54)发明名称

一种基于(110)单晶硅的微悬臂梁探针制作方法

(57)摘要

CN102279289A本发明公开了一种基于(110)单晶硅的微悬臂梁探针制作方法，属于MEMS和测试技术领域。其特征在于采用基于(110)单晶硅，实现氮化硅微悬臂梁针尖制作的工艺。制作过程中，采用了(110)单晶硅的各向异性腐蚀自停止方法。本发明的有益效果是采用微机电(MEMS)加工工艺即可完成全部工艺流程，并且克服了普通单晶硅各向异性腐蚀溶液对(110)单晶硅表面粗糙度的影响，对工艺设备要求较低，可以批量生产，降低了产品成本。该方法制成的氮化硅纳米探针针尖具有形状极其规范，硬度高和耐磨性好等优点。该方法制作的微悬臂梁探针可用于原子力显微镜(AFM)

CN102279289A

CN102279289A权利要求书1/1页

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1.一种基于(110)单晶硅的微悬臂梁探针制作方法，其特征在于以下步骤：

①原始硅片为N型、双面抛光、(110)单晶硅，进行双面热氧化；

②(110)单晶硅片背面处理：背面光刻，形成腐蚀用矩形掩膜窗口，使用干法刻蚀方法形成硅杯；

③(110)单晶硅孔腔制作工艺：正面光刻，使用铬版做掩膜版，铬版上图形保持准确的晶向关系，保证腐蚀探针窗口为三角形，其三角形的位置由铬版的基准线定位。

在(110)单晶硅上存在：面(111)和面(111)平行，面(111)和面(111)平行；面(111)和面(111)的夹角为70.53°,面(111)和面(111)夹角为70.53°;面(111)和面(111)的夹角为109.47°,面(111)和面(111)夹角为109.47°;可有四组组合：(111)、面(111)和斜面(111);面(11i)、面(111)和斜面(1i1);面(111)、面(111)和斜面(111);面(111)、面(111)和斜面(111)。可任取四组晶面中的一种或几种，其与(110)晶面的交线组成三角图形的位置，对应为铬版上的三角形窗口。湿法腐蚀出正面的二氧化硅掩膜图形后，再用湿法各向异性腐蚀，制作出由{111}晶面组成的孔腔；

④制作氮化硅悬臂梁及氮化硅探针：利用三层氮化硅膜结构，首先淀积硬氮化硅，再淀积作为悬臂梁主体的氮化硅膜，然后淀积一层较硬氮化硅，选择适当的工艺实现悬臂梁氮化硅膜热应力的最佳补偿，最后生长成氮化硅薄膜；

⑤加工正面U型沟槽：正面光刻，采用U型掩模窗口的掩模版，掩模版图形具有释放悬臂梁的沟槽图形，光刻胶作掩膜，干法刻蚀氮化硅U型沟槽，刻蚀深度为氮化硅薄膜的生长厚度；再正面光刻采用U型掩模窗口的掩模版，光刻胶作掩膜，湿法腐蚀二氧化硅U型沟槽，背面涂胶保护，腐蚀深度为二氧化硅薄膜厚度；

⑥释放微悬臂梁：使用湿法腐蚀(110)单晶硅，直至氮化硅悬臂梁释放，得到氮化硅材料的探针针尖；

2.如权利要求1所述的一种基于(110)单晶硅的微悬臂梁探针制作方法，其特征在于：二氧化硅掩膜用氮化硅掩膜代替；

3.如权利要求1所述的一种基于(110)单晶硅的微悬臂梁探针制作方法，其特征在于：氮化硅探针的高度是由在(110)单晶硅上腐蚀孔腔时，掩膜版结构图形中对应三角形部位的窗口面积大小决定的，使用的是单晶硅的各向异性自停止腐蚀方法；

4.如权利要求1所述的一种基于(110)单晶硅的微悬臂梁探针制作方法，其特征在于：微悬臂和微探针的氮化硅薄膜材料用金刚石薄膜材料代替。

CN102279289A说明书1/4页

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一种基于(110)单晶硅的微悬臂梁探针制作方法

技术领域

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