CN102181936A 一种制作多晶硅绒面的方法及腐蚀液 （江阴浚鑫科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102181936A

(43)申请公布日2011.09.14

(21)申请号201010519969.1

(22)申请日2010.10.26

(71)申请人江阴浚鑫科技有限公司

地址214443江苏省无锡市江阴市申港镇镇

澄路1011号

(72)发明人李建飞汪琴霞黄镇郭建东樊选东

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227

代理人李玉秋冯琼

(51)Int.CI.

C30B33/10(2006.01)

权利要求书1页说明书8页附图1页

(54)发明名称

一种制作多晶硅绒面的方法及腐蚀液

(57)摘要

CN102181936A本发明提供一种用于制作多晶硅绒面的腐蚀液，包括以下浓度的成分：2摩尔/升～5摩尔/升的HF、5摩尔/升～15摩尔/升的HNO?、0.2摩尔/升～1摩尔/升的亚硝酸盐、0.1摩尔/升~0.5摩尔/升的H?SiF?和余量水。本发明在HF和HNO?中添加NaNO?和H?SiF?作为稳定剂，实验结果表明，与现有技术相比，使用本发明提供的腐蚀液

CN102181936A

CN102181936A权利要求书1/1页

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1.一种用于制作多晶硅绒面的腐蚀液，包括以下浓度的成分：

HF2摩尔/升～5摩尔/升；

HNO?5摩尔/升～15摩尔/升；

亚硝酸盐0.2摩尔/升～1摩尔/升；

H?SiF?0.1摩尔/升～0.5摩尔/升；

余量水。

2.根据权利要求1所述的腐蚀液，其特征在于，包括：

HF3摩尔/升～4摩尔/升。

3.根据权利要求1所述的腐蚀液，其特征在于，包括：

HNO?6摩尔/升～10摩尔/升。

4.根据权利要求1所述的腐蚀液，其特征在于，包括：

亚硝酸盐0.3摩尔/升～0.5摩尔/升。

5.根据权利要求1所述的腐蚀液，其特征在于，包括：

H?SiF?0.15摩尔/升～0.3摩尔/升。

6.一种制作太阳能多晶硅绒面的方法，其特征在于，包括：

将多晶硅在权利要求1至5任一项所述的腐蚀液中进行腐蚀，腐蚀温度为6℃~25℃,腐蚀时间为4分钟～8分钟。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述腐蚀温度为7℃~15℃。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述腐蚀温度为8℃~10℃。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述腐蚀时间为5分钟～6分钟。

10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在将所述多晶硅在腐蚀液中进行腐蚀之前还包括：

用超声波清洗多晶硅。

CN102181936A说明书1/8页

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一种制作多晶硅绒面的方法及腐蚀液

技术领域

[0001]本发明涉及用于制备太阳能电池的多晶硅技术领域，具体涉及一种制作多晶硅绒面的方法以及腐蚀液。

背景技术

[0002]太阳能光伏电池，简称为光伏电池，用于把太阳的光能直接转化为电能。与常规能源相比，光伏电池是一种可再生清洁能源，有利于环境保护，并且可以节省造价很贵的输电线路，因此光伏电池具有广阔的应用前景。单晶硅片或多晶硅片是制备光伏电池的主要部件，当太阳光照射在单晶硅片或多晶硅片上时，光能可以转变为电能。

[0003]太阳光照射在硅片表面一般有40%以上的反射光，为了提高光电转换效率，需要增加硅片对太阳光的吸收效果，使反射率降至最小。目前，为了降低太阳光在硅片表面的反射率，需要对硅片进行表面处理以在硅片表面形成细小而均匀的绒面结构，绒面结构可以吸收更多的太阳光，降低光的反射率，从而提高短路电流，最终达到提高光电转换效率的效果。

[0004]目前，单晶硅片绒面制备技术开发较早，已经比较成熟。目前常用的技术是利用化学腐蚀技术制备单晶硅绒面，该技术是利用晶体硅的晶相在特定腐蚀液中被腐蚀速录有所不同的特性在单据硅片上制备出金字塔型绒面。用于制备单晶硅绒面的腐蚀液一般为NaOH、异丙醇和硅酸钠的混合溶液。

[0005]由于多晶硅具有与单晶硅完全不同的晶体结构，因此用于制备单晶硅绒面的