CN105762176B 碳化硅mosfet器件及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN105762176B公告日2018.11.09

(21)申请号201610273671.4

(22)申请日2016.04.28

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN105762176A

(43)申请公布日2016.07.13

(73)专利权人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

(72)发明人邓小川陈茜茜李立均李轩张波

(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232

代理人敖欢葛启函

(51)Int.CI.

HO1L29/06(2006.01)

HO1L29/24(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)

HO1L29/78(2006.01)

(56)对比文件

JPH0677490A,1994.03.18,

US2014319605A1,2014.10.30,CN105161539A,2015.12.16,

US2014183552A1,2014