CN102903623A 一种制作栅结构的方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102903623A

(43)申请公布日2013.01.30

(21)申请号201210353180.2

(22)申请日2012.09.20

(71)申请人上海集成电路研发中心有限公司

地址201210上海市浦东新区张江高科高斯

路497号

(72)发明人储佳

(74)专利代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275

代理人吴世华林彦之

(51)Int.CI.

HO1L21/28(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图2页

(54)发明名称

一种制作栅结构的方法

(57)摘要

CN102903623A本发明涉及一种制作栅结构的方法，该方法包括：提供衬底；在所述衬底之上形成栅电介质层；在所述栅电介质层之上沉积一层牺牲层；刻蚀所述牺牲层形成暴露出所述栅电介质层的沟槽，再在所形成的结构表面沉积栅导电层；通过各向异性刻蚀工艺从上往下对所述栅导电层进行刻蚀直至暴露所述牺牲层；去除所述的牺牲层获得栅结构。本发明的方法，采用侧墙形成工艺实现

CN102903623A

CN102903623A权