CN102969302B 基于二氧化铪的电子束套刻标记及其制作方法 （华中科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN102969302B

(45)授权公告日2015.08.26

(21)申请号201210475683.7

(22)申请日2012.11.21

(73)专利权人华中科技大学

地址430074湖北省武汉市洪山区珞喻路

1037号

(72)发明人曾成夏金松张永

(74)专利代理机构华中科技大学专利中心

42201

代理人李智

JP昭59-103333A,1984.06.14,

CN101149563A,2008.03.26,

JP昭57-72313A,1982.05.06,

WO2009/093171A1,2009.07.30,

JP特开2000-128673A,2000.05.09,

陈宝钦等.JBX-5000LS电子束混合光刻对准标记制作技术.《第十二届全国电子束、离子束、光子束学术会》.2005,34-38.

审查员霍淑利

(51)Int.CI.

HO1L23/544(2006.01)

HO1L21/02(2006.01)

GO3F9/00(2006.01)

(56)对比文件

JP特开2007-208031A,20