CN102903672A 一种通孔结构的制作方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102903672A

(43)申请公布日2013.01.30

(21)申请号201210405327.8

(22)申请日2012.10.22

(71)申请人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区张江高斯路

497号

(72)发明人胡正军

(74)专利代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275

代理人吴世华林彦之

(51)Int.CI.

HO1L21/768(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图2页

(54)发明名称

一种通孔结构的制作方法

经光刻、刻蚀和湿法去胶处理，

经光刻、刻蚀和湿法去胶处理，在衬底上形成通孔结构

采用物理轰击法对硅通孔结构进行圆化处理，形成圆化通孔结构

S03

在圆化通孔结构内部依次淀积介质层、阻挡层和籽晶层

采用电镀法在圆化通孔结构内部填充铜

采用化学机械研磨法去除圆化通孔结构的

通孔外部的衬底表面区域的介质层、阻挡层、

籽晶层和填充的铜

S0

S02

CN102903672A本发明提供一种通孔结构的制作方法，包括在衬底上形成通孔结构；对通孔结构进行圆化处理，增大通孔结构顶部的开口面积，形成圆化通孔结构；在圆化通孔结构表面依次淀积介质层、阻挡层和籽晶层；在圆化通孔结构内部填充铜。通过本发明的制作方法，不仅可以避免淀积过程中形成的材料堆积，有利于后续电镀铜工艺的顺利

CN102903672A

CN102903672A权利要求书1/1页

2

1.一种通孔结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S01:在衬底上形成通孔结构；

步骤S02:对所述的通孔结构进行圆化处理，增大所述的通孔结构顶部的开口面积，形成圆化通孔结构；

步骤S03:在所述的圆化通孔结构的表面依次淀积介质层、阻挡层和籽晶层；

步骤S04:在所述的圆化通孔结构内部填充铜。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的通孔结构的直径为5-10μm,所述的通孔结构的深度为50-100μm。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的步骤SO2中的圆化处理，是采用物理轰击的方法对所述的通孔结构的顶部区域进行刻蚀，形成所述圆化通孔结构。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述圆化通孔结构的顶部的刻蚀宽度为所述通孔结构的通孔直径的5%-8%,其中所述的刻蚀宽度为从所述通孔结构顶部的通孔边界到所述圆化通孔结构顶部的通孔边界的距离。

5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述的圆化处理是在物理气相沉积刻蚀腔内进行的。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述的圆化处理的参数为：偏压功率为200-800W,侧部功率为200-800W,氩气流量5-20sccm,压力为2-5mTorr,轰击时间为

5-20秒。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述的圆化处理的参数为：偏压功率为400W、600W或800W;侧部功率功率为400W、600W或800W;氩气流量为8cssm、10cssm或15cssm;压力为2mTorr、3mTorr或4mTorr。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤SO3中，所采用的淀积方法是化学气相沉积法。

9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所采用的填充方法是电镀法。

10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤SO4中还包括采用化学机械平坦化法去除所述的圆化通孔结构的通孔外部的衬底表面区域的介质层、阻挡层、籽晶层和填充的铜，直至所述的填充的铜的顶部与所述的圆化通孔结构的通孔外部的衬底表面在同一平面上。

11.根据权利要求书1所述的制作方法，其特征在于，所述的介质层的材料为氧化硅或氮化硅。

CN102903672A说明书1/4页

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一种通孔结构的制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种通孔结构的制作方法。

背景技术

[0002]器件的小型化、功能集成化以及器件性能的改善和功耗的降低等需求加快了集成电路向三维方向发展。为达到减小硅片使