CN105776127B 一种DNA碱基序列检测的双层SiN纳米孔结构的制作方法 （东南大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN105776127B公告日2017.05.03

(21)申请号201610256247.9审查员郭研岐

(22)申请日2016.04.22

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN105776127A

(43)申请公布日2016.07.20

(73)专利权人东南大学

地址210096江苏省南京市四牌楼2号

(72)发明人凌新生袁志山

(74)专利代理机构南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204

代理人柏尚春

(51)Int.CI.

B81C1/00(2006.01)

B82Y40/00(2011.01)

权利要求书1页说明书6页附图6页

(54)发明名称

S1提供：硅基体S2S3LP-CVDT艺在所述结构层表面沉积牺牲层刻蚀基体一侧所述结构层和所述牺牲层形成基体释放

S1

提供：硅基体

S2

S3

LP-CVDT艺在所述结构层表面沉积牺牲层

刻蚀基体一侧所述结构层和所述牺牲层形成基体释放窗!

刻蚀所述硅基体得到由所述结构层和所述牺牲层组成的自支撑纳米薄膜

蚀掉所述自支撑纳米薄膜上方的辆性层，得到悬空所述结构层

使用氦离了束在悬空所述结构层上刻蚀出纳米通孔

使用缓冲过的氢氟酸刻蚀所述结构层中的SiO?得到由SiO?空腔分割开的双层SIN纳米孔结构

通过LP-CVD工艺分别在基体两侧表面沉积3层纳米薄膜组成的结构层，由基体向上分别为SIN/SiOz/SiN

S6

S7

S8

S4

S5

CN105776127B(57)摘要本发明提供一种DNA碱基序列检测的双层SiN纳米孔结构及其制作方法。包括：首先提供一硅基体作为基板；在基体两侧表面通过LP-CVD工艺沉积由3层纳米薄膜组成的结构层，从基体向上分别为SiN/SiO?/SiN;接着使用LP-CVD工艺在所述结构层表面沉积牺牲层；刻蚀基体一侧所述结构层和所述牺牲层形成基体释放窗口；接着使用碱性溶液刻蚀所述硅基体得到由所述结构层和所述牺牲层组成的自支撑纳米薄膜。刻蚀掉所述自支撑纳米薄膜上方的牺牲层，得到悬空所述结构层。接着，使用氦离子束在悬空所述结构层上刻蚀出纳米通孔。最后使用缓冲过的氢氟酸刻蚀所述结构层中的Si02得到由SiO?空腔分割开的双层SiN纳米孔结构。本发明工艺简单，与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，同时可以重复循环使用，在生化检测领域有着较广的使用前

CN105776127B

(57)摘要

CN105776127B权利要求书1/1页

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1.一种DNA碱基序列检测的双层SiN纳米孔结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：

1.)提供一硅基体作为基板；

2.)在基板两侧表面通过低压化学气相沉积法LP-CVD工艺沉积3层纳米薄膜组成的结构层，该结构层从基板向上的层结构顺序为SiN/SiO?/SiN;

3.)使用LP-CVD工艺在所述结构层表面沉积牺牲层；

4.)利用反应离子刻蚀RIE,刻蚀所述硅基体一侧所述结构层和所述牺牲层形成硅基体释放窗口；

5.)使用碱性溶液刻蚀所述硅基体得到由所述结构层和所述牺牲层组成的自支撑纳米薄膜；

6.)再次使用刻蚀的办法，刻蚀掉所述自支撑纳米薄膜上方的牺牲层，得到悬空的所述结构层；

7.)使用氦离子束在所述结构层上刻蚀出纳米通孔；

8.)最后使用缓冲过的氢氟酸BOE刻蚀所述结构层中的SiO?,得到由SiO?空腔分割开的双层SiN纳米孔结构。

2.根据权利要求1所述的DNA碱基序列检测的双层SiN纳米孔结构的制作方法，其特征在于：所述3层纳米薄膜组成的结构层SiN/SiO?/SiN,各层厚度顺序为2～10nm,5～30nm和5~30nm。

3.根据权利要求1所述的DNA碱基序列检测的双层SiN纳米孔结构的制作方法，其特征在于：所述步骤3)中采用LP-CVD工艺在所述结构层表面沉积牺牲层，该牺牲层是双纳米薄膜，从硅基体向上分别为SiO?/SiN,或者是多晶硅/SiN,对应的每层厚度区间顺序为100~600nm,100～200nm。

4.根据权利要求1所述的DNA碱基序列检测的双层SiN纳米孔结构的制作方法，其特征在于：所述步骤4)中利用RIE