CN102779855B 双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管及制作方法 （哈尔滨理工大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN102779855B

(45)授权公告日2015.08.12

(21)申请号201210232866.6

(22)申请日2012.07.06

(73)专利权人哈尔滨理工大学

地址150040黑龙江省哈尔滨市南岗区学府

路52号124信箱

(72)发明人王玥王东兴王长昊梅金硕

田晓华刘倩贺训军

(74)专利代理机构哈尔滨东方专利事务所23118

代理人陈晓光

(51)Int.CI.

HO1L29/786(2006.01)

HO1L21/34(2006.01)

(56)对比文件

CN202633321U,2012.12.26,权利要求1-2.

CN1293825A,2001.05.02,全文.

US2006/0145144A1,2006.07.06,全文.US2012/0081774A1,2012.04.05,全文.US2011/0233555A1,2011.09.29,全文.

审查员黄宝莹

权利要求书1页说明书4页附图5页

CN

CN(54)发明名称

双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管及制作方法

(57)摘要

双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管及制作方法。目前国内外研究的Zn0薄膜晶体管主要采用顶栅与底栅场效应结构。一种双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管，其组成包括：底衬板(1),所述的底衬板上面连接源极Ag薄膜层(2),所述的源极Ag薄膜层上面连接导电沟道ZnO薄膜层(3),所述的导电沟道ZnO薄膜层上面连接栅极半绝缘Al薄膜层(4),所述的栅极半绝缘Al薄膜层上面连接所述的导电沟道ZnO薄膜层，所述的导电沟道ZnO薄膜上层上面连接所述的漏极Ag薄膜层(5)。本发明用于有源矩阵有机发光显示器的驱动单元、高密度集成电路以及其他电子电路等领域中。

CN102779855B权利要求书1/1页

2

1.一种双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管，其组成包括：底衬板，其特征是：所述的底衬板上面连接源极Ag薄膜层，所述的源极Ag薄膜层上面连接导电沟道ZnO薄膜层，栅极半绝缘A1薄膜层位于所述的导电沟道ZnO薄膜层中间，所述的栅极半绝缘A?薄膜层的上面和下面分别与所述的导电沟道ZnO薄膜层连接以形成欧姆接触，所述的导电沟道Zn0薄膜上层上面连接漏极Ag薄膜层。

2.根据权利要求1所述的双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管，其特征是：所述的导电沟道Zn0薄膜层的厚度为120±20nm,所述的栅极半绝缘A1薄膜层的厚度为20±10nm,所述的源极Ag薄膜层的厚度为50nm。

3.一种双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管的制作方法，其特征是：本制作方法采用垂直叠层结构，由五层薄膜构成，分别为沉积在基底上的源极Ag薄膜，Ag薄膜上面是导电沟道ZnO薄膜，栅极半绝缘A1薄膜位于所述的导电沟道ZnO薄膜中间，所述的导电沟道Zn0薄膜上面是漏极Ag薄膜，Ag和Zn0接触面形成了肖特基接触，A1和Zn0接触面形成了欧姆接触。

4.根据权利要求3所述的双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管的制作方法，其特征是：基底材料为石英玻璃，源漏电极为金属Ag薄膜，采用纯度为99.99%的Ag靶材，在真空度为6.0×10?4Pa、氩气流量为5.0sccm条件下利用直流磁控溅射镀膜15s;栅极电极为金属A1薄膜，采用纯度为99.99%的A1靶材，利用与制备源漏电极薄膜相同的工艺条件，溅射镀膜20s;栅极分别与漏极和源极之间夹着有源层ZnO薄膜，使用射频磁控溅射，溅射功率为150W,温度为27℃,抽真空6.0×10??Pa,氩气流量5.0sccm,磁控室充入氩气后磁控室的压强1.0Pa,磁控室Zn靶材辉光之后充入氧气，氧气流量为2.6sccm,通入氩气和氧气之后磁控室压强为1.6Pa;预溅射10分钟后除去Zn靶材表面的污染物，获得的ZnO薄膜厚度为120±20nm。

5.根据权利要求3或4所述的双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管的制作方法，其特征是：在源极Ag加以正向偏压VDS时，源极金属Ag薄膜层的电子正向注入它上面一层ZnO薄膜层，由于栅极A1和下层Zn0薄膜层及上层ZnO薄膜形成欧姆接触，零偏电压时，在上层Ag和