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  • 2026-03-14 发布于天津
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材物性能思考题及答案

考试时间:______分钟总分:______分姓名:______

一、单项选择题(每题2分,共20分)

1.下列关于金属与半导体电阻率随温度变化趋势的描述,正确的是:

A.金属电阻率随温度升高而增大,半导体电阻率随温度升高而减小

B.金属电阻率随温度升高而减小,半导体电阻率随温度升高而增大

C.金属与半导体电阻率均随温度升高而增大

D.金属与半导体电阻率均随温度升高而减小

2.材料在外电场作用下,其内部束缚电荷发生相对位移而产生电矩的现象称为:

A.取向极化

B.电子位移极化

C.空间电荷极化

D.离子位移极化

3.铁磁性物质的技术磁化过程主要涉及:

A.磁畴内磁矩方向的改变

B.磁畴壁的移动和磁畴的转动

C.原子核磁矩的取向

D.电子自旋磁矩的随机热运动

4.德拜温度(ΘD)主要反映了材料:

A.的电导能力

B.的磁性转变温度

C.原子间结合力强弱及晶格振动特性

D.的光学透明度

5.材料热膨胀的根本原因在于:

A.原子核的热运动加剧

B.原子间相互作用势能曲线的非对称性

C.电子云的弥散

D.晶格缺陷的增加

6.在可见光范围内,材料呈现颜色的主要原因是:

A.对所有波长的光都均匀吸收

B.对特定波长的光选择性吸收或反射

C.完全透射所有波长的光

D.完全反射所有波长的光

7.材料的弹性模量(杨氏模量)主要表征其:

A.抵抗塑性变形的能力

B.抵抗弹性变形的能力

C.抵抗断裂的能力

D.吸收振动能量的能力

8.介质损耗角正切(tanδ)的物理意义是:

A.介电常数与电导率的比值

B.介质在交变电场中消耗的功率与其储存功率之比

C.电位移强度与电场强度的比值

D.极化率与温度的比值

9.顺磁性材料原子的磁矩主要来源于:

A.电子轨道磁矩

B.电子自旋磁矩

C.原子核磁矩

D.晶格振动磁矩

10.内耗现象主要与材料的哪种行为有关?

A.弹性变形

B.塑性变形

C.滞弹性变形

D.脆性断裂

二、多项选择题(每题3分,共15分,错选、漏选均不得分)

11.下列哪些因素会影响材料的电导率?

A.载流子浓度

B.载流子迁移率

C.材料的晶体结构完整性

D.材料的颜色

E.材料的密度

12.铁磁性材料的磁滞回线可以反映其哪些特性?

A.饱和磁化强度(Ms)

B.剩余磁化强度(Mr)

C.矫顽力(Hc)

D.居里温度(Tc)

E.电导率

13.材料的介电性能通常包括哪些参数?

A.介电常数(ε)

B.介质损耗角正切(tanδ)

C.介电强度(击穿场强)

D.热导率

E.弹性模量

14.关于材料热膨胀系数(α)的说法,正确的有:

A.与原子间作用力势能曲线的对称性有关

B.格林乃森常数(γ)越大,热膨胀系数通常越大

C.所有材料的热膨胀系数都随温度升高而增大

D.共价键结合的材料通常热膨胀系数较小

E.热膨胀系数与材料的密度成正比

15.下列哪些现象属于材料的弹性性能范畴?

A.胡克定律

B.弹性滞后

C.内耗

D.滞弹性

E.蠕变

三、填空题(每空1分,共15分)

16.根据能带理论,导体与绝缘体的本质区别在于其______是否被电子填满。

17.电介质在外电场作用下产生的极化机制主要有电子位移极化、______、取向极化和空间电荷极化。

18.铁磁性物质存在______温度,超过此温度材料转变为顺磁性。

19.材料的热导率(κ)通常由______和电子两部分贡献。

20.材料的折射率(n)定义为光在真空中的速度c与光在该材料中的速度v之比,即n=______。

21.弹性模量是描述材料在弹性变形范围内______与______成正比的常数。

22.滞弹性是指材料在弹性变形时,其应变______于应力的现象。

23.金属电阻率随温度升高的微观机制主要是晶格振动(声子)对电子的______增强。

24.抗磁性是物质在外磁场作用下,由______磁矩产生的附加磁矩与外磁场方向相反的现象。

25.热膨胀系数α定义为温度

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