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影像医学2

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1、Ⅲ、Ⅳ期口腔癌患者放射治疗或手术治疗后，约有多少患者会出现头颈部的第二原发癌1分

A.6%

B.20%

C.10%

D.1%

E.3%

正确答案：A

答案解析：Ⅲ、Ⅳ期口腔癌患者放射治疗或手术治疗后，约有6%的患者会出现头颈部的第二原发癌。

2、下列哪种颅内肿瘤不需要放射治疗1分

A.松果体生殖细胞瘤

B.中枢性淋巴瘤

C.毛发型星形细胞瘤全部切除者

D.间变性星形细胞瘤

E.颅内多发性转移瘤

正确答案：C

答案解析：毛发型星形细胞瘤为星形细胞瘤Ⅰ级，对此级别的星形细胞瘤如果肿瘤完全切除，术后无需放射治疗。而间变性星形细胞瘤为Ⅲ

级，术后应常规予以放射治疗。

3、有关头颈部肿瘤术前放疗的描述不正确的是1分

A.术前放疗可使瘤体缩小，减少手术困难，增加手术切除率

B.术前放疗可使肿瘤周围小的血管、淋巴管闭塞，从而减少术中医源性播散的机会

C.术前放疗50Gy的剂量会明显增加手术的并发症

D.目前临床证实40Gy的术前放疗仅能控制60%～70%的亚临床病灶

E.合适的术前放疗剂量如50Gy，不会增加手术并发症

正确答案：C

答案解析：术前放疗可使瘤体缩小，减少手术困难，增加手术切除率；还可使肿瘤周围小的血管、淋巴管闭塞，从而减少术中医源性播散的机

会。合适的术前放疗剂量如4000～5000cGy并不增加术后吻合口及手术切口不愈合等并发症的发生率。

4、铅对60钴的γ射线的半价层是1.25cm，因此其线性吸收系数约为1分

A.0.125/cm

B.0.554/cm

C.0.692/cm

D.0.885/cm

E.0.346/cm

正确答案：B

答案解析：由公式HVT=0.692/μ得出μ=0.692/HVT=0.692/1.25cm=0.554/cm。

5、在头颈部肿瘤患者的放射治疗中，对重要组织器官进行防护时，不正确的是1分

A.鼻咽、口咽、口腔肿瘤放疗中应常规挡喉

B.对眼眶受侵者，必须将受侵眼眶包括在照射高剂量范围内，亦不必遮挡视神经

C.能量较低的高能射线作单侧野照射可降低颞颌关节和下颌骨的放射剂量

D.对腮腺区肿瘤放射治疗时，用单侧两野交角高能X线照射可以保护健侧腮腺，从而尽量减少放疗后口干的症状

E.对鼻旁窦肿瘤放疗时需将泪腺遮挡，以免日后出现严重干眼症、角膜炎等

正确答案：C

答案解析：多数头颈部肿瘤放疗时颞颌关节和下颌骨很难躲开，故最好用高能X线使中线部位肿瘤得到较高剂量而颞颌关节、下颌骨相对低量。

应尽量避免用能量较低的高能射线（如4MV、60钴）作单侧野照射。

6、放射治疗计划的实施主要由()完成1分

A.放疗技师

B.放疗物理师

C.设备工程师

D.放疗医师

E.放疗护师

正确答案：A

答案解析：放射治疗计划的实施主要由放疗技师完成。

7、下列有关喉癌的描述中不正确的是1分

A.声带淋巴引流丰富，声门癌淋巴结转移相对多见

B.放射治疗是早期(TINO)声门癌患者的最佳治疗手段

C.声门下区癌发病隐匿，少有能早期诊断者

D.声门上区癌的放射效果不如声门癌

E.舌骨上会厌病变有向上、向前发展的特点，容易侵及会厌蹊、会厌前间隙

正确答案：A

答案解析：放射治疗是早期(TINO)声门癌患者的最佳治疗手段，声带淋巴引流很少，声门癌淋巴结转移少见。声门上区癌由于肿瘤部位不同而

具有不同的特点，其中舌骨上会厌病变有向上、向前发展的特点，容易侵及会厌蹊、会厌前间隙。此外声门上区癌颈部淋巴结转移相当多见且

较早出现，放射治疗效果不如声门癌。

8、由电磁辐射的能量与频率的关系，可知1分

A.电磁辐射的频率降低其能量变大

B.电磁辐射的频率越高其能量越小

C.电磁辐射的波长降低其能量变小

D.电磁辐射的频率越高其能量越大

E.电磁辐射的波长增加其能量变大

正确答案：D

答案解析：电磁辐射与能量的关系为E=hν，式中能量E的单位为焦耳(J)，频率ν的单位为赫兹(1/s)，h是普朗克常数(h＝6.626×10-34Js)。

电磁辐射的频率和波长的关系为λ＝c/ν，式中波长λ的单位是米(m)，频率。的单位为赫兹(1/s)，c为光速(c＝2.997924580×108m/s)。

9、下列关于上颌窦癌放射治疗描述不正确的是1分

A.多采用一前、一侧两野交角90°照射

B.采用两前野交角45度照射

C.上颌窦癌的根治剂量为7000cGy/7w

D.患者采取仰卧位

E.采用双侧水平野照射

正确答案：E

答案解析：对鼻旁窦癌来说，应尽量使剂量分布均匀，同时还应不影响健侧的眼睛。上颌窦癌多采用一前、一侧两野交角90°照射，并使用45°

楔形板。上颌窦癌的根治剂量为7000cGy。

10、如果γ射线入射到水中，则1分

A.10～30KeV康普顿效应占优势，30KeV～25MeV光电效应占优势，25～100MeV电子对效应