2023年模拟电子技术基础知识点总结.pdfVIP

模拟电子技术复习资料总结

第一章半导体二极管

一.半导体的基础知识

1.半导体…导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Si、Ge）.

2.特性…光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体….纯净的具有单晶体构造的半导体。

4.两种载流子…-带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为裁流子。

5.杂质半导体….在本征半导体中掺入微量杂侦形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体：在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。

*N型半导体：在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是君子，少子是空穴）。

6.杂质半导体的特性

*载流子的浓度…多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

*体电阻—一般把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型…通过变化掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为此外一种杂质半导体。

7.PN结

*PN结的接触电位差…硅材料约为0.6-0.8V,错材料约为0.2~D.3V。

*PN结的单向导电性一正偏导通，反偏截止。

8.PN结的伏安特性

二.半导体二极管

序单向导电性……正向导通,反向截止。

，二极管伏安特性…•同PN结。

*正向导通压降……硅管0G0.7V,楮管0.2~0.3V。

*死区电压……硅管0.5V,铸管0.1V。

3.分析措施……将二极管断开，分析二极管两端电位的高下:

若V阳＞V阴（正偏），二极管导通（短路）；

若V阳＜V阴（反偏）,二极管截止（开路）。

1）图解分析法

该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点

2）等效电路法

＞直流等效电路法

*总的解题手段•一将二极管断开，分析二极管两端电位的高下:

若V阳＞V阴（正偏）,二极管导通（短路）;

若V阳＜V阴(反偏),二极管截止(开路)。

*三种模型

。业也

°—Ci—°*u

(a)理想模型T号度-

(b)恒乐源度量(O折线模型

＞微变等效电路法

U

“砧T小余号模型

三.稳压二极管及其稳压电路

*稳压二极管的特性…正常工作时处在PN结的反向击穿区，因此稳压二极管在电路中要反向连接。

稳乐管的伏安特性

第二章§2.1三极管及其基本放大电路

一.三极管的构造、类型及特点

1.类型…分为NPN和PNP两种。

2.特点…基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触

面积较小：集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。

二,三极管的工作原理

1.三极管的三种基本组态

时共发射极组态(b)共集电极组态⑹共基极组态

2.三极管内各极电流的分派

/c=/CN+CBO4=，BN+，CN=/B+/c，B=，BN-^CBO

*共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制器件

8=^-

//BN，C=〃/B+(1+〃)/CRO=//B+/CEO

式子/CEO