CN102820368A 三族氮化物基光电晶体管探测器件及其制作方法 （中山大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102820368A

(43)申请公布日2012.12.12

(21)申请号201210314486.7

(22)申请日2012.08.30

(71)申请人中山大学

地址510275广东省广州市新港西路135号

(72)发明人江灏陈英达乐广龙

(74)专利代理机构广州粤高专利商标代理有限公司44102

代理人林丽明林伟斌

(51)Int.CI.

HO1L31/11(2006.01)

HO1L31/0352(2006.01)

HO1L31/18(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图2页

(54)发明名称

三族氮化物基光电晶体管探测器件及其制作方法

接触层较大禁带宽度材料的施主掺杂层

接触层

较大禁带宽度材料的施主掺杂层合金组分渐变层

非故意掺杂层

受主与施主共掺杂层受主掺杂层

非故意掺杂层施主掺杂层

非故意掺杂层

缓冲层或过渡层

村底

入射光线

集电极

生长中断过程

蒸极

次发射极

发射极

110

105/

104

103

CN102820368A本发明公开一种三族氮化物基光电晶体管探测器件及其制作方法，光电晶体管探测器件由下往上依次包括衬底(101)、缓冲层或过渡层(102)、非故意掺杂层(103)、施主掺杂层(104)、第二非故意掺杂层(105)、受主掺杂层(106)、受主与施主共掺杂层(107)、第三非故意掺杂层(108)、合金组分渐变层(109)、较大禁带宽度材料的施主掺杂层(110)以及接触层(111)。本发明

CN102820368A

CN102820368A权利要求书1/2页

2

1.一种三族氮化物基光电晶体管探测器件，其特征在于，由下往上依次包括衬底(101)、缓冲层或过渡层(102)、非故意掺杂层(103)、施主掺杂层(104)、第二非故意掺杂层(105)、受主掺杂层(106)、受主与施主共掺杂层(107)、第三非故意掺杂层(108)、合金组分渐变层(109)、较大禁带宽度材料的施主掺杂层(110)以及接触层(111)。

2.根据权利要求1所述的三族氮化物基光电晶体管探测器件，其特征在于，衬底(101)为蓝宝石衬底、碳化硅衬底、三族氮化物衬底、硅衬底、砷化镓衬底、铝酸锂衬底、镓酸锂衬底、氧化镁衬底；缓冲层或过渡层(102)为低温或者高温生长的三族氮化物或其多元合金，其厚度介于5nm到500nm之间。

3.根据权利要求1所述的三族氮化物基光电晶体管探测器件，其特征在于，非故意掺杂层(103)为高温生长的三族氮化物或其多元合金，其厚度介于0.1um到5um之间；

第二非故意掺杂层(105)为0.1um到lum厚的非故意掺杂三族氮化物或其多元合金，作为三族氮化物基光电晶体管的次发射极；

第三非故意掺杂层(108)为0.1um到lum厚的非故意掺杂三族氮化物或其多元合金，作为三族氮化物基光电晶体管的光吸收层。

4.根据权利要求1所述的三族氮化物基光电晶体管探测器件，其特征在于，施主掺杂层(104),作为三族氮化物基光电晶体管的发射极，其为0.1um到3um厚的施主型掺杂三族氮化物或其多元合金，施主掺杂浓度介于1×101?至1×102cm?3之间。

5.根据权利要求1所述的三族氮化物基光电晶体管探测器件，其特征在于，受主掺杂层(106),作为三族氮化物基光电晶体管的基极，其为0.1um到lum厚的受主型掺杂三族氮化物或其多元合金，受主掺杂浓度介于1×101?至1×101?cm3之间。

6.根据权利要求1所述的三族氮化物基光电晶体管探测器件，其特征在于，受主与施主共掺杂层(107),其为5nm到500nm厚的受主与施主共掺杂三族氮化物或其多元合金，受主掺杂浓度介于1×101?至1×101?cm?3之间，施主掺杂浓度介于1×101?至1×102?cm3之间，受主掺杂浓度比施主掺杂浓度高。

7.根据权利要求1所述的三族氮化物基光电晶体管探测器件，其特征在于，合金组分渐变层(109)为5nm到150nm厚的非故意掺杂三族氮化物或其多元合金，其组分从第三非故意掺杂层(108)的合金组分逐渐变化至较大禁带宽度材料的施主掺杂层(110)的合金组分，组分的渐变形式为线性的或非