CN103781949B 氧化镁薄膜的制作方法及处理板 （国立研究开发法人科学技术振兴机构）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN103781949B公告日2016.11.30

(21)申请号201280043872.5

(22)申请日2012.03.09

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN103781949A

(43)申请公布日2014.05.07

(30)优先权数据

2011-1975622011.09.09JP

(85)PCT国际申请进入国家阶段日

2014.03.10

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/JP2012/0561912012.03.09

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2013/035360JA2013.03.14

(73)专利权人国立研究开发法人科学技术振兴机构

地址日本琦玉县

(72)发明人须崎友文细野秀雄藤桥忠弘户田喜丈

(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021

代理人蒋亭

(51)Int.CI.

C30B29/16(2006.01)

B01D53/02(2006.01)

B01D53/04(2006.01)

B01J20/04(2006.01)

B01J20/34(2006.01)

B01J21/10(2006.01)

C23C14/08(2006.01)

(56)对比文件

TomofumiSusaki,etal..TunableworkfunctioninMg0/Nb:SrTi03surfaces

studiedbyKelvinprobetechnique”.

《PHYSICALREVIEWB》.2011,第83卷第115435(1-5)页.

KosukeMatsuzaki,etal..Layer-by-

layerepitaxialgrowthofpolarMgO(111)thinfilms”.《PHYSICALREVIEWB》.2010,第82卷第033408(1-4)页.

T.Fujihashi,etal..Mg0/Nb:SrTi03

(111)surfacepropertiesstudiedbyCO2

adsorption”.《Japansocietyofapplied

physicsandrelatedsocieties》.2011,第58卷第24p-BC-2页.(续)

审查员周琼

权利要求书1页说明书8页附图5页

(54)发明名称

氧化镁薄膜的制作方法及处理板

(57)摘要

一种方法，其利用激光烧蚀法通过将氧化镁m的烧结体或单晶作为靶使用而将氧化镁薄膜堆

积到基板上。在该方法中，通过使用包含以(111)面为主面的钛酸锶或以(111)面为主面的氧化钇稳定化氧化锆的基板，在所述基板的所述主面上直接堆积膜、使其外延生长，由此制成包含以(111)面为表面的氧化镁的平坦的处理膜。

[转续页]

CN103781949B2/2页

2

[接上页]

(56)对比文件.2011,第50卷第085503(1-5)页.

ShoKumada,etal..TuningofSurfaceRoughnessandLatticeConstantinMg0

(111)/A1203(0001)GrownbyLaserEnergyControlledPulsedLaserDeposition”.

《JapaneseJournalofAppliedPhysics》

Tomofumisusaki,etal..New

functionalitiesinartificial