CN103400853A 一种碳化硅肖特基势垒二极管及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN103400853A

(43)申请公布日2013.11.20

(21)申请号201310330738.X

(22)申请日2013.08.01

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)西

源大道2006号

(72)发明人邓小川李轩王向东文译饶成元张波

(74)专利代理机构成都宏顺专利代理事务所(普通合伙)51227

代理人李顺德王睿

(51)Int.CI.

HO1L29/10(2006.01)

HO1L29/872(2006.01)

HO1L21/329(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图6页

(54)发明名称

一种碳化硅肖特基势垒二极管及其制作方法

(57)摘要

CN103400853A本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种碳化硅肖特基势垒二极管及其制作方法。本发明所述的一种碳化硅肖特基势垒二极管，包括依次层叠设置的阴极电极、N+衬底、N-漂移区、P+层和阳极电极，其特征在于，所述P+层上有多个有固定间距的凹槽，所述阳极电极填充在凹槽内。本发明的有益