CN103777273A 一种波导交叉单元及其制作方法 （华中科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN103777273A

(43)申请公布日2014.05.07

(21)申请号201410048787.9

(22)申请日2014.02.12

(71)申请人华中科技大学

地址430074湖北省武汉市洪山区珞喻路

1037号

(72)发明人刘陈魏玉明刘德明

(74)专利代理机构北京华沛德权律师事务所

11302

代理人刘杰

(51)Int.CI.

G02B6/125(2006.01)

GO2B6/13(2006.01)

权利要求书2页说明书4页附图3页

(54)发明名称

一种波导交叉单元及其制作方法

(57)摘要

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CN103777273A104102106.102本发明提供的一种波导交叉单元及其制作方法，其中，基于SOI的波导交叉单元包括：衬底、下层光波导、上层光波导、中间层及隔离层；下层光波导与上层光波导呈桥式结构相互交叉设置在衬底上；隔离层设置在衬底的中间部位处，中间层分别设置在下层光波导、隔离层的上表面，上层光波导设置在中间层的上表面；下层光波导与上层光波导的折射率相同；中间层的折射率小于下层光波导的折射率；隔离层的折射率小于下层光波导的折射率；衬底的折射率小于下层光波导的折

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106.

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CN103777273A权利要求书1/2页

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1.一种波导交叉单元，其特征在于，包括：

衬底、下层光波导、上层光波导、中间层及隔离层；

所述下层光波导与所述上层光波导呈桥式结构相互交叉设置在所述衬底上；所述隔离层设置在所述衬底的中间部位处，且覆盖所述下层光波导的位于所述衬底中间部位的部分的上表面；所述中间层分别设置在所述下层光波导和所述隔离层的上表面，且覆盖所述衬底；所述上层光波导设置在所述中间层的上表面；

所述下层光波导与所述上层光波导的折射率相同；所述中间层的折射率小于所述下层光波导的折射率；所述隔离层的折射率小于所述下层光波导的折射率；所述衬底的折射率小于所述下层光波导的折射率；所述隔离层的折射率小于所述中间层的折射率；

所述衬底、所述下层光波导、所述上层光波导及所述中间层构成波导交叉单元的垂直耦合部分，所述垂直耦合部分由下至上依次为：所述衬底、所述下层光波导、所述中间层、所述上层光波导；

所述衬底、所述下层光波导、所述上层光波导、所述中间层及所述隔离层构成波导交叉单元的交叉部分，所述交叉部分由下至上依次为：所述衬底、所述下层光波导、所述隔离层、所述中间层和所述上层光波导。

2.根据权利要求1所述的基于SOI的波导交叉单元，其特征在于：

所述下层光波导是直波导和锥形波导中的一种；

和/或，

所述上层光波导是直波导和锥形波导中的一种。

3.根据权利要求1所述的基于SOI的波导交叉单元，其特征在于，还包括：

包层；

所述包层设置在所述上层光波导的上表面，且覆盖所述上层光波导；所述包层的折射率小于所述下层光波导的折射率。

4.根据权利要求1-3任一项所述的波导交叉单元，其特征在于：

所述上层光波导的宽度大于或等于所述下层光波导的宽度。

5.一种波导交叉单元制作方法，其特征在于，包括：

对光波导材料基片进行初次刻蚀，生成相互交叉的下层光波导；所述下层光波导的折射率为n?;

在生成有下层光波导的光波导材料基片中间部位处生长隔离层；所述隔离层覆盖所述下层光波导；所述隔离层的折射率为n?;

对所述光波导材料基片上除生长隔离层区域外的其他区域进行二次刻蚀至所述下层光波导的上表面；

分别在所述下层光波导和所述隔离层上生长中间层；所述中间层覆盖所述光波导材料基片；所述中间层的折射率为n?;

在所述中间层上生长上层光波导；所述上层光波导的折射率为n4;

其中，n?小于n?;n?小于n?;n?小于n?;n?等于n4。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，还包括：

在生成有所述下层光波导、所述隔离层、所述中间层及所述上层光波导的光波导材料基片上生长包层；所述包层覆盖所述下层光波导、所述隔离层、所述中间层及所述上层光波

CN103777273A权利要求书