CN103904111B 基于增强型AlGaNGaN HEMT器件结构及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN103904111B公告日2017.01.04

(21)申请号201410025004.5

(22)申请日2014.01.20

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN103904111A

(43)申请公布日2014.07.02

(73)专利权人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人冯倩杜锴代波张春福梁日泉张进成郝跃

(74)专利代理机构北京方圆嘉禾知识产权代理

有限公司11385代理人董芙蓉

(51)Int.CI.

HO1L29/778(2006.01)

HO1L29/10(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)

(56)对比文件

CN101414629A,2009.04.22,CN101410985A,2009.04.15,CN103337516A,2013.10.02,EP0100529A1,1984.02.15,JP平1-166557A,1989.06.30,

审查员卢振宇

权利要求书2页说明书4页附图2页

(54)发明名称

基于增强型AlGaN/GaNHEMT器件结构及其制作方法

(57)摘要

CN103904111B本发明公开了一种基于增强型AlGaN/GaNHEMT器件结构及其制作方法，所述结构包括衬底、本征GaN层、A1N隔离层、本征A1GaN层、AlGaN掺杂层、p型GaN层、栅电极、源电极、漏电极、绝缘层、钝化层以及用于调节二维电子气浓度的硅化物。所述源漏电极和绝缘层位于AlGaN掺杂层之上，所述栅电极位于p型GaN层之上，硅化物位于绝缘层之上，所述的硅化物，对绝缘层和AlGaN层引入压应力，硅化物之间的A?GaN层受到张应力，通过使块间距小于块宽度，使得A1GaN层总体获得张应力，增大2DEG

CN103904111B

绝缘层

绝缘层硅化物加厚电极

CN103904111B权利要求书1/2页

2

1.一种基于增强型AlGaN/GaNHEMT器件结构，其特征在于：所述结构包括衬底、本征GaN层、A1N隔离层、本征A1GaN层、AlGaN掺杂层、p型GaN层、栅电极、源电极、漏电极、绝缘层、钝化层以及用于调节二维电子气浓度的硅化物，所述AlGaN掺杂层位于本征AlGaN层之上，p型GaN层位于AlGaN掺杂层之上，源漏电极以及绝缘层位于A1GaN掺杂层之上，栅电极位于p型GaN层之上，硅化物位于绝缘层之上；在衬底上外延生长有增强型A1GaN/GaN异质结材料，并在该异质结材料上形成有源电极和漏电极，然后淀积一层绝缘层，绝缘层的厚度为5~10nm,在绝缘层上的栅漏区域以及栅源区域间，形成有硅化物，硅化物为块状，会对绝缘层和A1GaN层引入压应力，硅化物之间的AlGaN层会受到张应力，通过使块间距小于块宽度，使得AlGaN层总体获得张应力，从而使沟道中2DEG得到增强，所述的硅化物包括NiSi,TiSi?或Co?Si,栅电极下方存在p-GaN外延层，形成增强型器件，最后淀积钝化层实现器件的钝化。

2.根据权利要求1所述的基于增强型AlGaN/GaNHEMT器件结构，其特征在于：其中的衬底的材料是蓝宝石、碳化硅、GaN或Mg0。

3.根据权利要求1所述的基于增强型AlGaN/GaNHEMT器件结构，其特征在于：本征A1GaN和AlGaN掺杂层中的A1与Ga的组份能够调节，AlxGa1-xN中x=0～～1。

4.根据权利要求1所述的基于增强型AlGaN/GaNHEMT器件结构，其特征在于：本征GaN层替换为A1GaN层，而该AlGaN中A1的组份小于本征AlGaN层和A1GaN掺杂层中的A1组份。

5.根据权利要求1所述的基于增强型AlGaN/GaNHEMT器件结构，其特征为：其中的p型GaN层材料替换为p型A1GaN材料或者p型InGaN材料。

6.基于增强型A1GaN/GaNHEMT器件结构的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：

(1)对外延生长的p-GaN/AlGaN/GaN材料进行有机清洗，用流动的去离子水清洗并放入HC1:H?O=1:1体积比的溶液中进行腐蚀3