CN103426931A 应变沟道鳍式场效应晶体管及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN103426931A

(43)申请公布日2013.12.04

(21)申请号201310385577.4

(22)申请日2013.08.29

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)西

源大道2006号

(72)发明人罗谦刘斌王向展于奇严慧

(74)专利代理机构成都虹桥专利事务所(普通合伙)51124

代理人刘世平

(51)Int.CI.

HO1L29/78(2006.01)

HO1L29/06(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图4页

(54)发明名称

应变沟道鳍式场效应晶体管及其制作方法

(57)摘要

CN103426931A本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有将应变硅沟道技术引入FINFET的方法中，应变方向与界面平行且制作相对复杂的问题，提供了一种应变沟道鳍式场效应晶体管及其制作方法，其技术方案可概括为：应变沟道鳍式场效应晶体管，包括半导体衬底、鳍状结构、栅氧化层、钝化层、栅极、源区、漏区及两个槽型结构，还包括填充在两个槽型结构中的能够