CN104393041B T形栅场板高电子迁移率晶体管及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN104393041B公告日2017.04.19

(21)申请号201410659603.2

(22)申请日2014.11.18

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN104393041A

(43)申请公布日2015.03.04

(73)专利权人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人毛维佘伟波张延涛杨翠马佩军郝跃

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华朱红星

(51)Int.CI.

HO1L29/778(2006.01)

HO1L29/423(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)

HO1L21/28(2006.01)

审查员陈燕坤

权利要求书1页说明书9页附图3页

(54)发明名称

T形栅场板高电子迁移率晶体管及其制作方法

(57)摘要

CN104393041B保护层11T形摄场板10钝化层8凹槽9源极4棚极7漏极5台面6过渡层2本发明公开了一种T形栅场板高电子迁移率晶体管及其制作方法，主要解决现有场板技术在

CN104393041B

保护层11

T形摄场板10

钝化层8凹槽9

源极4棚极7

漏极5

台面6

过渡层2

CN104393041B权利要求书1/1页

2

1.一种T形栅场板高电子迁移率晶体管，自下而上包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、钝化层(8)和保护层(11),势垒层(3)的上面淀积有源极(4)、漏极(5)与栅极(7),势垒层(3)的侧面刻有台面(6),且台面深度大于势垒层厚度，其特征在于，钝化层(8)内刻有凹槽(9),该凹槽(9)的深度s为0.11～8.2μm,宽度b为0.42～6.3μm,凹槽(9)底部与势垒层(3)之间的距离d为0.057～0.29μm,凹槽(9)靠近栅极一侧边缘与栅极(7)靠近漏极一侧边缘之间的距离a为s×(d)?.5;钝化层(8)与保护层(11)之间淀积有T形栅场板(10),该T形栅场板与栅极(7)电气连接，且下端完全填充在凹槽(9)内，凹槽(9)靠近漏极一侧边缘与T形栅场板靠近漏极一侧边缘之间的距离c为0.62～7.9μm。

2.一种制作T形栅场板高电子迁移率晶体管的方法，包括如下过程：

第一步，在衬底(1)上外延GaN基宽禁带半导体材料，形成过渡层(2);

第二步，在过渡层上外延GaN基宽禁带半导体材料，形成势垒层(3);

第三步，在势垒层(3)上第一次制作掩膜，利用该掩膜在势垒层(3)的两端淀积金属，再在N?气氛中进行快速热退火，分别制作源极(4)和漏极(5);

第四步，在势垒层(3)上第二次制作掩膜，利用该掩膜在源极左侧、漏极右侧的势垒层上进行刻蚀，且刻蚀区深度大于势垒层厚度，形成台面(6);

第五步，在势垒层(3)上第三次制作掩膜，利用该掩膜在源极与漏极之间的势垒层上淀积金属，制作栅极(7);

第六步，分别在源极上部、漏极上部、栅极上部、栅极与源极之间的势垒层上部，以及栅极与漏极之间的势垒层上部淀积钝化层(8);

第七步，在钝化层(8)上第四次制作掩膜，利用该掩膜在栅极与漏极之间的钝化层(8)内进行刻蚀，以制作深度s为0.11～8.2μm,宽度b为0.42～6.3μm的凹槽(9),凹槽(9)底部与势垒层(3)之间的距离d为0.057～0.29μm,该凹槽靠近栅极一侧边缘与栅极靠近漏极一侧边缘之间的距离a为s×(d)?.5,其中s为凹槽深度，d为凹槽底部与势垒层之间的距离；

第八步，在钝化层(8)上第五次制作掩膜，利用该掩膜在凹槽内和源极与漏极之间的钝化层上淀积金属，所淀积的金属要完全填充凹槽，以形成厚度为0.11～8.2μm的T形栅场板(10),凹槽靠近漏极一侧边缘与T形栅场板靠近漏极一侧边缘之间的距离c为0.62～7.9μm,并将T形栅场板(10)与栅极(7)电气连接；

第九步，在T形栅场板(10)上部和钝化层(8)的其它区域上部淀积绝缘介质材料，形成保护层(11),完成整个器件的制作。

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