CN104282628A 一种cmos图像传感器全局像元存储电容的制作方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN104282628A

(43)申请公布日2015.01.14

(21)申请号201410593540.5

(22)申请日2014.10.29

(71)申请人上海集成电路研发中心有限公司

地址201210上海市浦东新区上海浦东张江

高斯路497号

申请人成都微光集电科技有限公司

(72)发明人顾学强赵宇航周伟

(74)专利代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275

代理人吴世华林彦之

(51)Int.CI.

HO1L21/8238(2006.01)

HO1L21/02(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图6页

(54)发明名称

一种CMOS图像传感器全局像元存储电容的制作方法

(57)摘要

本发明公开了一种CMOS图像传感器全局像元存储电容的制作方法，通过在存储电容的上极板侧壁形成不透光的金属硅化物层替代原有的边墙结构，并通过绝缘阻挡层形成MOS电容上、下极板金属硅化物之间的绝缘间隙，使入射到存储电容上的光线被金属硅化物层反射，避免了入射光

步媒一：捉供一衬底，在所述衬底上形成存储电容的下极板、上