CN104091763B 一种非均匀超结结构的制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN104091763B公告日2017.02.15

(21)申请号201410323375.1

(22)申请日2014.07.07

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN104091763A

(43)申请公布日2014.10.08

(73)专利权人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

(51)Int.CI.

HO1L21/336(2006.01)

(56)对比文件

KR10-0827514B1,2008.05.06,

CN103824759A,2014.05.28,

US2001/0034118A1,2001.10.25,JP特开2006-24605A,2006.01.26,

审查员郑钰

(72)发明人任敏王为姚鑫韩天宇

杨珏琳牛博李泽宏张金平

高巍张波

(74)专利代理机构成都宏顺专利代理事务所

(普通合伙)51227代理人李玉兴

权利要求书1页说明书4页附图5页

(54)发明名称

一种非均匀超结结构的制作方法

(57)摘要

CN104091763B本发明涉及半导体工艺制造技术领域，具体的说是涉及一种非均匀超结结构的制作方法。本发明的方法为通过对体硅刻蚀之前淀积的光刻胶进行处理，采用多张掩膜板多次叠加曝光，使得待刻蚀区域的光刻胶具有不同的厚度。在随后进行体硅刻蚀中，光刻胶越薄的区域，刻蚀深度越深，因而可以得到深度非均匀的超结结构。本发明的有益效果为，通过不同掩膜板和不同曝光量的结合，可以灵活地形成各种不同深度的超结结构，工艺步骤简单，成本较低。本发明尤其适用

CN104091763B

CN104091763B权利要求书1/1页

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1.一种非均匀超结结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步：制备N+衬底(1),在N+衬底(1)上层生成N-外延层(2),在N-外延层(2)上表面淀积硬掩膜层(3);

第二步：采用光刻刻蚀工艺，在所有需要制作P型柱的区域刻蚀掉硬掩膜层(3);具体方法为：在硅片表面淀积正性光刻胶，采用第一掩膜板(01)进行光刻显影后再刻蚀硬掩膜层(3);其中，第一掩膜板(01)上有多个透光的矩形图形区域，将硬掩膜层(3)对应刻蚀掉多个矩形区；

第三步：在N-外延层(2)上表面淀积正性光刻胶(4);

第四步：采用多次曝光工艺，对需要制作P型柱的区域进行曝光；具体方法为：采用第二掩膜板(02)进行第一次曝光，曝光剂量为J1;采用第三掩膜板进行第二次曝光，曝光剂量为J2;其中第二掩膜板(02)上有多个透光的矩形图形区域，第三掩膜板(03)上有多个透光的矩形图形区域，第二掩膜板(02)与第三掩膜板(03)上的矩形图形区域数量之和等于第一掩膜板(01)上矩形图形区域数量，且第二掩膜板(02)和第三掩膜板(03)上的矩形图形区域位置与第一掩膜板(01)上矩形图形区域位置一一重叠对应；J1不等于J2;

第五步：进行显影处理，去除部分正性光刻胶(4);

第六步：采用刻蚀工艺，依次刻蚀正性光刻胶(4)和N-外延层(2),在N-外延层(2)中形成多个深度不同的深槽；

第七步：外延生长P型硅(5),对形成的多个深槽进行填充，形成多个P型柱区。

2.根据权利要求1所述的一种非均匀超结结构的制作方法，其特征在于，所述第一掩膜板(01)中有4个的透光的矩形图形区域，分别为第一矩形图形区A、第二矩形图形区B、第三矩形图形区C和第四矩形图形区D,将硬掩膜层(3)对应刻蚀出第一矩形区E、第二矩形区F、第三矩形区G和第四矩形区H;所述第二掩膜板(02)中有2个透光的矩形图形区域，分别为第五矩形图形区B1、第六矩形图形区D1,其中第五矩形图形区B1、第六矩形图形区D1分别与第二矩形图形区B和第四矩形图形区D的位置重叠对应；所述第三掩膜板(03)中有2个的透光的矩形图形区域，分别为第七矩形图形区C2、第八矩形图形区D2,其中第七矩形图形区C2、第八矩形图形区D2分别与第三矩形图形区C和第四矩形图形区D的位置重叠对应；在经过曝光显影处理后，在第一矩形区E、第二矩形区F、第三矩形区G和第四矩形区H中残留的正性光刻胶(4)厚度分别为T、T?、T?和T?;刻蚀后第一矩形区E、第二矩形区F、第三矩形区G和第四矩形区H中形成的沟