CN104409352B 嵌入式锗硅器件的制作方法 （上海华力微电子有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN104409352B公告日2017.05.24

(21)申请号201410693124.2

(22)申请日2014.11.26

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN104409352A

(43)申请公布日2015.03.11

(73)专利权人上海华力微电子有限公司

地址201203上海市浦东新区张江开发区

高斯路568号

(72)发明人鲍宇朱亚丹曾真

(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237

代理人王宏婧

(51)Int.CI.

HO1L21/336(2006.01)

HO1L29/78(2006.01)

HO1L29/08(2006.01)

(56)对比文件

CN101133482A,2008.02.27,说明书第3页

第3段至第11页第1段，图1A-1C,2,3,4A-4G.

CN102376753A,2012.03.14,说明书第

[0025]段至[0042]段，图1,2A-2E.

US2013/0023097A1,2013.01.24,全文.审查员黄