CN104241452B 柔性量子点太阳能电池及其制作方法 （苏州强明光电有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN104241452B公告日2016.08.24

(21)申请号201410525826.X

(22)申请日2014.10.09

(73)专利权人苏州强明光电有限公司

地址215614江苏省张家港市凤凰镇凤凰

科技创业园D栋

(72)发明人杨晓杰叶继春

(74)专利代理机构北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250

代理人张建纲

(51)Int.CI.

H01L31/18(2006.01)

(56)对比文件

CN101882645A,2010.11.10,

JP特开平8-195504A,1996.07.30,

CN102983203A,2013.03.20,

JP特开平8-195504A,1996.07.30,JP特公平6-36430B2,1994.05.11,WO02/075876A2,2002.09.26,

JP特开2007-251089A,2007.09.27,

审查员邢磊

权利要求书2页说明书6页附图3页

(54)发明名称

柔性量子点太阳能电池及其制作方法

(57)摘要

CN104241452B一种柔性量子点太阳能电池及其制作方法，包括，利用外延生长方法在GaAs衬底上依次外延生长缓冲层、牺牲层和太阳能电池层后制作出太阳能电池外延片，太阳能电池层依次包括窗口层、发射极、量子点超晶格结构、基极、背面场层和接触层，量子点超晶格结构包括至少一层InxGa1xAs量子点层、以及设置在InxGa1xAs量子点层之间的间隔层；在太阳能电池外延片的接触层表面沉积金属背电极层并黏贴在柔性载体上，高选择性地腐蚀掉牺牲层，制作出柔性量子点太阳能电池。解决了现有GaAs基太阳能电池结构与长波长太阳光谱匹配度不高导致太阳能转换效

CN104241452B

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CN104241452B权利要求书1/2页

2

1.一种柔性量子点太阳能电池的制作方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤S1:利用外延生长方法在GaAs衬底上依次外延生长缓冲层、牺牲层和太阳能电池层后制作出太阳能电池外延片，所述太阳能电池层依次包括窗口层、发射极、量子点超晶格结构、基极、背面场层和接触层，所述量子点超晶格结构包括至少一层InxGa1-xAs量子点层、以及设置在InxGa?-xAs量子点层之间的间隔层，其中，InxGa?-xAs量子点层中In组分0.0≤x≤1.0;在所述间隔层和/或InxGa?-xAs量子点层中掺杂施主元素来增强电池的电流密度，所述掺杂的施主元素是硅元素，硅原子的浓度为1.0×101?-1.0×101?cm?3;

步骤S2:在所述太阳能电池外延片的接触层表面沉积金属背电极层并黏贴在柔性载体上，高选择性地腐蚀掉所述牺牲层，实现所述太阳能电池层与GaAs衬底的无损分离后，在所述窗口层表面沉积上电极和减反射膜，制作出柔性量子点太阳能电池。

2.如权利要求1所述的柔性量子点太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述InxGa1-xAs量子点层的生长温度为450-540℃、沉积速率为0.01-1.0单层每秒、厚度为1.8-10.0单层，InxGa?-xAs中In组分为0.4≤x≤1.0。

3.如权利要求1或2所述的柔性量子点太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述间隔层和InxGa1-xAs量子点层分别设置1-100层。

4.如权利要求1所述的柔性量子点太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述间隔层为GaAs材料、GaAlAs材料、GaP材料、GaAsP材料、GaInP材料、GaAlInP材料或GaAlAsP材料。

5.如权利要求3所述的柔性量子点太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述间隔层为GaAs材料、GaAlAs材料、GaP材料、GaAsP材料、GaInP材料、GaAlInP材料或GaAlAsP材料。

6.如权利要求4所述的柔性量子点太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述间隔层为GaAs材料，其厚度为5-100nm。

7.如权