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模拟电子技术课程习题第一章常用半导体器件试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

选择题（每题2分，共20分）

1.二极管具有单向导电性，其导通的条件是（）。

A.正向偏置

B.反向偏置

C.零偏置

D.任意偏置

2.硅二极管的导通压降通常约为（）。

A.0.3V

B.0.5V

C.0.7V

D.1.0V

3.稳压管正常工作时，工作在（）。

A.正向导通区

B.反向截止区

C.反向击穿区

D.死区

4.三极管处于放大状态的外部条件是（）。

A.发射结正偏，集电结正偏

B.发射结正偏，集电结反偏

C.发射结反偏，集电结正偏

D.发射结反偏，集电结反偏

5.三极管电流放大系数β的定义是（）。

A.IC/IB

B.IB/IC

C.ΔIC/ΔIB

D.ΔIB/ΔIC

6.场效应管属于（）控制器件。

A.电流

B.电压

C.功率

D.频率

7.结型场效应管（JFET）的栅源极间电压应为（）。

A.正偏

B.反偏

C.零偏

D.任意偏置

8.增强型NMOS管导电的条件是（）。

A.V