CN104538837A 一种纳米等离子体阵列激光器及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN104538837A

(43)申请公布日2015.04.22

(21)申请号201510013055.0

(22)申请日2015.01.09

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)西

源大道2006号

(72)发明人赵青黄小平刘友亮王鹏

(74)专利代理机构电子科技大学专利中心51203

代理人李明光

(51)Int.CI.

HO1S5/04(2006.01)

HO1S5/20(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图3页

(54)发明名称

一种纳米等离子体阵列激光器及其制作方法

(57)摘要

CN104538837A1本发明提供了一种纳米等离子体阵列激光器及其制作方法，属于光学技术领域。本发明利用电泵浦半导体纳米线p-n结阵列激发的光子和表面金属-介质膜的相互作用产生表面等离子体激元(SPP),进而对纳米线谐振腔中产生的光子束进行约束调控。本发明结合半导体纳米结构几何限制和表面等离子体模场对光束限制约束的双重优点，利用半导体纳米线实现工作物质和谐振腔

CN104538837A

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